申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-11-24

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130754A

主分类号：H01L51/00(20060101)

分类号：H01L51/00(20060101);H01L27/28(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/8239(20060101)

优先权：["20191230 US 16/729,903"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：描述了与半导体结构形成相关的系统、设备和方法。实例设备包括用于半导体装置的结构材料。所述结构材料包括具有数个氧O原子和化学键的原硅酸盐衍生的低聚物，所述数个氧O原子各自化学键合至对应数量的硅Si原子中的一个上，所述化学键在来自元素周期表的第13族的元素例如B、Al、Ga、In和Tl和所述原硅酸盐衍生的低聚物的所述数个O原子之间形成。相对于没有所述化学键交联链而形成的所述结构材料，所述化学键使所述原硅酸盐衍生的低聚物的链交联以增加所述结构材料的机械强度，以及具有本文中所述的其它益处。

主权项：1.一种用于形成半导体结构的设备，其包含：结构材料105，所述结构材料105用于半导体装置，所述结构材料105包含：原硅酸盐衍生的低聚物103、211，所述原硅酸盐衍生的低聚物103、211具有数个氧O原子104、217，所述数个氧O原子各自化学键合至对应数量的硅Si原子中的一个；以及化学键，所述化学键在来自元素周期表第13族的元素与所述原硅酸盐衍生的低聚物103、211的所述数个O原子104、217之间形成；其中化学键交联所述原硅酸盐衍生的低聚物103、211的链102以相对于在没有所述化学键交联所述链102的情况下形成的所述结构材料105增加所述结构材料的机械强度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 半导体结构形成

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