买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】图案形成方法_罗门哈斯电子材料有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司_202011498811.0 

申请/专利权人:罗门哈斯电子材料有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司

申请日:2020-12-17

公开(公告)日:2021-07-16

公开(公告)号:CN113126439A

主分类号:G03F7/115(20060101)

分类号:G03F7/115(20060101);G03F7/075(20060101);G03F7/004(20060101)

优先权:["20191231 US 62/956200"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要:图案形成方法包括:a在基底上形成底层,其中所述底层的厚度为5微米或更大;b在所述底层上形成光致抗蚀剂层,其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成,所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂,其中所述含硅聚合物包含作为聚合单元的式I的单体:其中:R1独立地选自H、F、OH、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6羟基‑卤代烷基、C1‑C6烷氧基、或C1‑C6卤代烷氧基;R2独立地选自H或F;R3独立地选自H、F、CH3、CF3、CHF2、或CH2F;R4包括酸可裂解基团;并且m是0至2的整数;c将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射;d使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案;以及f使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模将所述光致抗蚀剂图案的图案转印到所述底层中。本发明特别适用于形成在半导体器件的形成中使用的三维图案如阶梯图案。

主权项:1.一种图案形成方法,所述图案形成方法包括:a在基底上形成底层,其中所述底层的厚度为5微米或更大;b在所述底层上形成光致抗蚀剂层,其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成,所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂,其中所述含硅聚合物包含作为聚合单元的式I的单体: 其中:R1独立地选自H、F、OH、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6羟基-卤代烷基、C1-C6烷氧基、或C1-C6卤代烷氧基;R2独立地选自H或F;R3独立地选自H、F、CH3、CF3、CHF2、或CH2F;R4包括酸可裂解基团;并且m是0至2的整数;c将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射;d使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案;以及f使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模将所述光致抗蚀剂图案的图案转印到所述底层中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 罗门哈斯电子材料有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司 图案形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。