申请/专利权人：纳姆实验有限责任公司

申请日：2020-12-30

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130476A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：["20191230 DE 102019009096.9"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.11.01#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明提供了具有多个栅极端子的半导体器件结构及其形成方法。本发明提供了包括具有金属‑半导体接触以及多于一个栅极端子的场效应晶体管的集成电路。在本发明中，提出了具有多个栅极接触件105的场效应晶体管的集成电路，多个栅极接触件105优选是独立的。使用相同的沟道101和由在沟道端部通过金属‑半导体接触形成的共源极漏极接触，栅极接触件105彼此相邻。本发明包括一种在具有多个栅极端子的晶体管的适当栅极105下方的沟道101端部形成精确金属‑半导体合金接触124的方法，其与使用相同沟道彼此相邻的多个栅极接触件的密集集成相兼容。

主权项：1.一种包括晶体管的集成电路，包括：半导体沟道，包括电连接三个沟道部分的节点；在所述沟道的每个端部形成的肖特基接触；位于每个肖特基接触处的栅极接触件，以控制肖特基势垒导电性。

全文数据：

权利要求：

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