申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-12-31

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130313A

主分类号：H01L21/28(20060101)

分类号：H01L21/28(20060101);H01L21/306(20060101)

优先权：["20191231 US 62/955,734","20201217 US 17/125,299"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.07.14#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.07.16#公开

摘要：本发明实施例涉及半导体装置的形成方法，说明具有可调栅极高度与有效电容的装置的制作方法。方法包括形成第一金属栅极堆叠于半导体基板的虚置区中，且第一金属栅极堆叠包括第一功函数金属层；形成第二金属栅极堆叠于半导体基板的主动装置区中，第二金属栅极堆叠包括第二功函数金属层，且第一功函数金属层与第二功函数金属层不同；以及采用含电荷的多个研磨纳米颗粒的研磨液进行化学机械研磨制程。含电荷的研磨纳米颗粒在主动装置区中的第一浓度与在虚置区中的第二浓度不同，造成主动装置区与虚置区中的研磨速率不同。化学机械研磨制程之后的第一金属栅极堆叠具有第一高度而第二金属栅极堆叠具有第二高度，且第一高度与第二高度不同。

主权项：1.一种半导体装置的形成方法，包括：提供一半导体基板；形成一第一金属栅极堆叠于该半导体基板的一虚置区中，且该第一金属栅极堆叠包括一第一功函数金属层；形成一第二金属栅极堆叠于该半导体基板的一主动装置区中，该第二金属栅极堆叠包括一第二功函数金属层，且该第一功函数金属层与该第二功函数金属层不同；以及采用含电荷的多个研磨纳米颗粒的一研磨液进行一化学机械研磨制程，其中含电荷的所述研磨纳米颗粒在该主动装置区中的一第一浓度与在该虚置区中的一第二浓度不同，造成该主动装置区与该虚置区中的研磨速率不同，且其中该化学机械研磨制程之后的该第一金属栅极堆叠具有一第一高度，而该第二金属栅极堆叠具有一第二高度，且该第一高度与该第二高度不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的形成方法

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