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【发明公布】硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法_聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司_202110313173.9 

申请/专利权人:聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司

申请日:2021-03-24

公开(公告)日:2021-07-16

公开(公告)号:CN113130297A

主分类号:H01L21/02(20060101)

分类号:H01L21/02(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.06.13#发明专利申请公布后的驳回;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要:本发明提供一种硅‑氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法,硅‑氮化镓复合衬底包括硅基底、浅沟槽隔离结构、III‑N族外延结构及第二硅层;硅基底包括第一硅层;浅沟槽隔离结构位于硅基底上且贯穿第一硅层;III‑N族外延结构位于第一硅层的表面包括GaN沟道层及AlGaN势垒层且位于浅沟槽隔离结构的外侧;第二硅层位于第一硅层的表面且位于浅沟槽隔离结构的内侧。本发明可在同一平面集成硅基及氮化镓基的复合衬底,进一步可制备共平面集成硅‑氮化镓复合器件,从而在晶圆制造阶段实现硅器件和氮化镓器件共平面、小间距片上互联,解决不同材料器件互联的寄生效应问题,且可节省占板面积,提高集成度及集成器件的性能。

主权项:1.一种硅-氮化镓复合衬底的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供硅基底,所述硅基底包括第一硅层;于所述第一硅层的表面形成III-N族外延结构,所述III-N族外延结构包括GaN沟道层及AlGaN势垒层;形成覆盖所述III-N族外延结构的第一硬掩膜层,并图形化所述第一硬掩膜层;刻蚀所述III-N族外延结构,形成显露所述第一硅层的凹槽;于所述凹槽中形成隔离侧墙,所述隔离侧墙覆盖所述III-N族外延结构的侧壁;形成第二硅层,所述第二硅层填充所述凹槽;显露所述第一硬掩膜层;去除所述第一硬掩膜层,形成第二硬掩膜层,并图形化所述第二硬掩膜层;去除所述隔离侧墙,形成浅沟槽;形成浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构填充所述浅沟槽,且所述浅沟槽隔离结构贯穿所述第一硅层;显露所述第二硬掩膜层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司 硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法

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