申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2021-04-13

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130495A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.19#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法中，位线结构及节点接触结构位于衬底的存储区且节点接触结构排布在位线结构的两侧，栅极结构及接触插塞位于衬底的外围电路区且接触插塞排布在栅极结构的两侧，隔离层覆盖位线结构、栅极结构、节点接触结构及接触插塞的顶部以电性隔离相邻的节点接触结构及相邻的接触插塞，由于外围电路区的隔离层的厚度大于存储区的隔离层的厚度，后续在刻蚀外围电路区的隔离层形成暴露出接触插塞的沟槽时，在不改变刻蚀方法的情况下，沟槽更容易与接触插塞对准，从而使得在沟槽中形成的导电插塞不会与接触插塞发生偏移，扩宽了工艺窗口，提升了器件的性能和可靠性，且能够省略一些制备步骤。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底及位于所述衬底上的位线结构、栅极结构、节点接触结构、接触插塞及隔离层，其中：所述衬底具有存储区及外围电路区，所述位线结构及所述节点接触结构位于所述存储区，且所述节点接触结构排布在所述位线结构的两侧，所述栅极结构及所述接触插塞位于所述外围电路区，且所述接触插塞排布在所述栅极结构的两侧；以及，所述隔离层覆盖所述位线结构、栅极结构、节点接触结构及接触插塞的顶部，以电性隔离相邻的所述节点接触结构及相邻的接触插塞，且所述外围电路区的隔离层的厚度大于所述存储区的隔离层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件及其形成方法

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