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【发明公布】一种优化晶圆级封装可靠性优化方法_南通大学_202110409577.8 

申请/专利权人:南通大学

申请日:2019-12-12

公开(公告)日:2021-07-16

公开(公告)号:CN113128171A

主分类号:G06F30/398(20200101)

分类号:G06F30/398(20200101);H01L23/498(20060101);H05K1/11(20060101);G06F113/18(20200101);G06F119/02(20200101);G06F119/04(20200101);G06F119/08(20200101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要:本发明提供一种优化晶圆级封装可靠性优化方法,根据封装结构的初始结构尺寸和焊点材料仿真获得结构的初始热疲劳寿命;选取影响封装结构所述疲劳寿命的因素,并制定合适的正交表格;将各个因素的最优组合仿真后获得所述热疲劳寿命,将优化结构的所述热疲劳寿命与初始结构所述热疲劳寿命进行对比,发现所述热疲劳寿命有明显增加,封装结构的可靠性得到优化。

主权项:1.一种优化晶圆级封装可靠性优化方法,其特征在于,包括以下步骤:根据封装结构的初始结构尺寸和焊点材料仿真获得结构的初始热疲劳寿命;选取影响封装结构所述疲劳寿命的因素,并制定合适的正交表格;对所述正交表格的样本数据进行极差分析得到各个因素的影响趋势图,观察图中各个因素在不同取值下的变化范围从而得到影响所述热疲劳寿命的主要因素以及各个因素的最优值;将各个因素的最优组合仿真后获得所述热疲劳寿命,将优化结构的所述热疲劳寿命与初始结构所述热疲劳寿命进行对比,发现所述热疲劳寿命有明显增加,封装结构的可靠性得到优化。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南通大学 一种优化晶圆级封装可靠性优化方法

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