申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-04-28

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113126455A

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.09#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明提供了一种晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法，浸没式光刻机包括移送装置、晶圆工作台、多个E‑pin升降机构和晶圆背面清洁装置，其中，晶圆背面清洁装置包括气体喷射器，并配置有多个朝向晶圆背面的喷气通道，用于向晶圆背面喷射气体。本发明通过在浸没式光刻机增设晶圆背面清洁装置实现对晶圆背面进行清洁，降低曝光失焦率，另外，可避免晶圆背面上的颗粒粘在E‑pin升降机构与晶圆背面接触端，进一步降低与E‑pin升降机构接触区域内的晶圆背面的曝光失焦率，提升产品一次良率，且可减少对昂贵的晶圆工作台的污染，从而降低对晶圆工作台的清洁频率，避免对晶圆工作台造成损坏，降低生产成本。

主权项：1.一种晶圆背面清洁装置，其特征在于，包括气体喷射器，所述气体喷射器配置有朝向晶圆背面的喷气通道，所述喷气通道用于向晶圆背面喷射气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法

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