申请/专利权人：友达光电股份有限公司

申请日：2019-05-14

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN110264959B

主分类号：G09G3/3266(20160101)

分类号：G09G3/3266(20160101);G09G3/3225(20160101)

优先权：["20181115 TW 107140640"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.16#授权;2019.10.22#实质审查的生效;2019.09.20#公开

摘要：一种显示面板包含移位暂存电路以及像素电路。移位暂存电路包含第一晶体管，耦接于输出补偿信号的输出端。像素电路包含电容、第二至第四晶体管及发光二极管。电容的一端接收补偿信号，而另一端耦接于第一节点。第二晶体管依据扫描信号接收数据信号。第三晶体管依据扫描信号接收补偿信号，且第三晶体管的一端耦接于第二节点。第四晶体管的一端耦接于第二节点，控制端耦接于电容的一端。发光二极管的一端耦接于第二节点。第四晶体管与第一晶体管相同。

主权项：1.一种显示面板，包含：一第一移位暂存电路，包含一第一晶体管，耦接于一第一输出端，其中，该第一输出端输出一补偿信号；一像素电路，包含：一电容，其中该电容的一第一端用以接收该补偿信号，而该电容的一第二端耦接于一第一节点；一第二晶体管，用以依据该第一移位暂存电路输出的一扫描信号接收一数据信号；一第三晶体管，用以依据该扫描信号接收该补偿信号，其中该第三晶体管的一第一端耦接于一第二节点；一第四晶体管，其中该第四晶体管的一控制端耦接于该第一节点，该第四晶体管的一第一端耦接于该第二节点，该第四晶体管的一第二端用以接收一第一电源电压；一发光二极管，其中该发光二极管的一第一端耦接于该第二节点，该发光二极管的一第二端用以接收一第二电源电压；其中该第四晶体管与该第一晶体管相同，其中，该补偿信号于一补偿时间区间内由一第一电位下降为一第二电位，并于一发光时间区间内由该第二电位下降为一第三电位，其中该第二电位为该第三电位加上该第一晶体管的跨压。

全文数据：显示面板技术领域本公开文件有关一种显示面板，特别涉及一种可补偿有机发光二极管的晶体管以及移位暂存电路的晶体管的临界电压变异的显示面板。背景技术有机发光二极管OLED作为一种电流型发光元件已越来越常被应用于高性能显示中。与液晶显示器LCD相比，OLED具有高对比、超轻薄、可弯曲等诸多优点。但是，亮度均匀性和残像仍然是OLED目前面临的两个主要难题，因此需要通过补偿技术以解决这两个问题。补偿方法可以分为内部补偿和外部补偿。内部补偿是指在像素电路内部利用晶体管构建的子电路以进行补偿的方法。外部补偿是指通过外部的驱动电路以进行补偿的方法。通常OLED的发光亮度和电流成正比，而电流是由晶体管TFT提供的，其中如晶体管的阈值电压随着老化而改变等因素即会影响电流大小。补偿技术的主要目的就是要消除这些因素的影响，以让像素电路的亮度达到理想值。然而，传统的补偿电路元件数众多，难以达到高分辨率。发明内容本公开的一实施方式是在提供一种显示面板。此显示面板包含第一移位暂存电路以及像素电路。第一移位暂存电路包含第一晶体管。第一晶体管耦接于第一输出端。第一输出端输出补偿信号。像素电路包含电容、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及发光二极管。电容的第一端用以接收补偿信号，而电容的第二端耦接于第一节点。第二晶体管用以依据第一移位暂存电路输出的扫描信号接收数据信号。第三晶体管用以依据扫描信号接收补偿信号。第三晶体管的第一端耦接于第二节点。第四晶体管的控制端耦接于电容的第二端，第四晶体管的第一端耦接于第二节点，第四晶体管的第二端用以接收第一电源电压。发光二极管的第一端耦接于第二节点，发光二极管的第二端用以接收第二电源电压。第四晶体管与第一晶体管相同。因此，根据本公开的技术实施方式，本公开的实施方式通过提供一种显示面板，以达到结合补偿与调光控制功能。此外，由于于本公开的实施方式中，利用邻近晶体管的电性接近的特性，通过移位暂存电路以补偿像素电路的晶体管，像素电路中仅需三个晶体管和一个电容3T1C即可实现补偿与调光控制的功能，相较于传统的补偿电路元件数较少。附图说明为让公开文件的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图的说明如下：图1是根据本公开的一些实施例所示出的一种显示面板的示意图；图2是根据本公开的一些实施例所示出的一种移位暂存电路的示意图；图3是根据本公开的一些实施例所示出的一种像素电路的示意图；图4是根据本公开的一些实施例所示出的一种信号波形图的示意图；图5是根据本公开的一些实施例所示出的一种像素电路操作于复位时间区间的操作示意图；图6是根据本公开的一些实施例所示出的一种像素电路操作于补偿时间区间的操作示意图；图7是根据本公开的一些实施例所示出的一种像素电路操作于发光时间区间的操作示意图；图8是根据本公开的一些实施例所示出的另一种移位暂存电路的示意图；图9是根据本公开的一些实施例所示出的另一种像素电路的示意图；以及图10是根据本公开的一些实施例所示出的另一种移位暂存电路的示意图。其中，附图标记说明如下：100：显示面板110：栅极驱动器130：源极驱动器AA：显示区域P11至PMN：像素电路G1至GM：栅极线S1至SN：源极线115-1至115-M：移位暂存电路200、800、1000：移位暂存电路300、500、600、700、900：像素电路400：信号波形图OLED：发光二极管N1、N2：节点EM[N]、EM[N-1]：使能信号EnB、EnA：时钟信号VGL、VGH：电位Vcomp[N]、Vcomp[N-1]：补偿信号T1至T12、Tc、Td：晶体管C1至C3：电容OT1、OT2：输出端OVDD、OVSS：电源电压Scan[N]、Scan[N-1]：扫描信号Vdata：数据信号VH、VL、V1至V3：电位TP1至TP3：时间区间具体实施方式以下将配合相关附图来说明本公开内容的实施例。在附图中，相同的标号表示相同或类似的元件或方法流程。请参阅图1。图1是根据本公开的一些实施例所示出的一种显示面板100的示意图。如图1所示，显示面板100包含栅极驱动器110、源极驱动器130以及显示区域AA。显示区域AA包含多个像素电路P11至PMN，形成一个M×N的像素阵列。栅极驱动器110包含多个移位暂存电路115-1至115-M。于连接关系上，多个移位暂存电路115-1至115-M中的每一者耦接至多条栅极线G1至GM中之一者。多个像素电路P11至PMN中的每一者耦接至多条栅极线G1至GM中之一者以及多条源极线S1至SN中之一者。详细而言，移位暂存电路115-1耦接至栅极线G1，移位暂存电路115-2耦接至栅极线G2，其余依此类推。栅极线G1与像素电路P11至P1N相耦接，栅极线G2与像素电路P21至P2N相耦接，其余依此类推。源极线S1与像素电路P11至PM1相耦接，源极线S2与像素电路P12至PM2相耦接，其余依此类推。此外，多个移位暂存电路115-1至115-M彼此串联，用以每隔固定间隔输出扫描信号至显示区域AA的多个像素电路P11至PMN。移位暂存电路115-1至115-M中的每一者依据时钟信号，将输入信号延迟输出而为输出信号。而下一级的移位暂存电路则将上一级的移位暂存电路的输出信号做为输入信号，再延迟输出成为自身的输出信号，并经由相耦接的多条栅极线G1至GM中之一者将输出信号作为扫描信号输出，以更新与多条栅极线G1至GM中之一者相耦接的部分的多个像素电路P11至PMN。需注意的是，于图1中所示出的显示面板100仅作为例示说明之用，但本公开的实施方式不以此为限。关于移位暂存电路115-1至115-M与像素电路P11至PMN的详细结构，将于以下参照图2至图3进行说明。请参阅图2。图2是根据本公开的一些实施例所示出的一种移位暂存电路200的示意图。如图2所示出的移位暂存电路200可用以表示如图1所示出的移位暂存电路115-1至115-M的其中一者。如图2所示出，移位暂存电路200包含多个晶体管T1至T9、Tc以及电容C1、C2。晶体管Tc耦皆于输出端OT1，而输出端OT1输出补偿信号Vcomp[N]。Vcomp[N]代表的是第N级移位暂存电路200所输出的补偿信号。请参阅图3。图3是根据本公开的一些实施例所示出的一种像素电路300的示意图。如图3所示出的像素电路300可用以表示如图1所示出的像素电路P11至PMN的其中之一者。如图3所示出，像素电路300包含多个晶体管T10至T12、电容C3以及发光二极管OLED。需注意的是，于部分的实施例中，像素电路300与移位暂存电路200耦接于同一条栅极线。详细而言，电容C3的第一端用以接收补偿信号Vcomp[N]，而电容C3的第二端耦接于节点N1。晶体管T10的控制端用以接收移位暂存电路200所输出的扫描信号Scan[N]，晶体管T10的第一端用以接收数据信号Vdata，晶体管T10的第二端耦接于节点N1。晶体管T10依据扫描信号Scan[N]由多条源极线S1至SN中之一者接收数据信号Vdata。晶体管T11的控制端用以接收移位暂存电路200所输出的扫描信号Scan[N]，晶体管T11的第一端耦接于节点N2，晶体管T11的第二端用以接收补偿信号Vcomp[N]。晶体管T11依据扫描信号Scan[N]接收补偿信号Vcomp[N]。晶体管T12的控制端耦接于节点N1，晶体管T12的第一端耦接于节点N2，晶体管T12的第二端用以接收电源电压OVDD。发光二极管OLED的第一端耦接于节点N2，发光二极管OLED的第二端用以接收电源电压OVSS。于本实施例中，移位暂存电路200的输出端OT1输出补偿信号Vcomp[N]至电容C3的第一端以及晶体管T11的第二端。需注意的是，于本公开的实施例中，晶体管T12与晶体管Tc为具有相同规格的晶体管，举例而言，两者的晶体管迁移率、阈值电压、通道宽度等参数皆相同。关于移位暂存电路115-1至115-M与像素电路P11至PMN的详细操作方法，将于以下参照图4至图7进行说明。请参阅图4。图4是根据本公开的一些实施例所示出的一种信号波形图400的示意图。请一并参阅图2。Scan[N]为由第N级的移位暂存器200所输出的扫描信号，于部分实施例中，扫描信号是由移位暂存器200的输出端OT2所输出。Scan[N-1]为由第N-1级的移位暂存器200所输出的扫描信号。Vcomp[N]是由第N级的移位暂存器200所输出的补偿信号，于部分实施例中，补偿信号是由移位暂存器200的输出端OT1所输出。Vcomp[N-1]是由第N-1级的移位暂存器200所输出的补偿信号。如图4所示出，信号波形图400包含复位时间区间TP1、补偿时间区间TP2以及发光时间区间TP3。关于各个时间区间内的详细操作将于以下参阅图5至图7一并说明。请一并参阅图4与图5。图5是根据本公开的一些实施例所示出的一种像素电路300操作于复位时间区间TP1的操作示意图。如图4所示出，于复位时间区间TP1内，扫描信号Scan[N]为高电位VH，补偿信号Vcomp[N]为电位V1。如图5所示出，于复位时间区间TP1内，电容C3的第一端为补偿信号Vcomp[N]的电位V1，电位V1为高电位。电容C3将高电位V1由电容C3的第一端耦合至电容C3的第二端，即此时端点N1的电压亦为高电位V1。由于端点N1的电压为高电位V1，晶体管T12的控制端为高电位V1，因此晶体管T12不导通。此外，由于扫描信号Scan[N]为高电位VH，晶体管T10的控制端与晶体管T11的控制端均接收高电位VH，因此晶体管T10与晶体管T11均不导通。而由于晶体管T11、T12均不导通，发光二极管OLED不会发亮。由上述可知，于本公开的实施方式中，于复位时间区间TP1内，利用电容耦合couple的方式关闭晶体管T12以及发光二极管OLED，以达到电磁调光EMdimming的功能。请一并参阅图4与图6。图6是根据本公开的一些实施例所示出的一种像素电路300操作于补偿时间区间TP2的操作示意图。如图4所示出，于补偿时间区间TP2内，扫描信号Scan[N]为低电位VL，补偿信号Vcomp[N]由电位V1降至电位V2。需注意的是，电位V2为电位V3加上晶体管Tc的跨压VTH_Tc。如图6所示出，于补偿时间区间TP2内，电容C3的第一端由电位V1降至电位V2。由于扫描信号Scan[N]为低电位VL，晶体管T10、T11的控制端接收扫描信号Scan[N]的低电位VL，因此晶体管T10、T11导通。由于晶体管T10导通，数据信号Vdata经由晶体管T10传送至节点N1。由于数据电压Vdata为一低电压，此时晶体管T12的控制端接收低电压的数据电压Vdata，晶体管T12导通。而由于晶体管T11、T12均导通，电流由OVDD经由晶体管T12流至晶体管T11。此时，节点N2的分压较电源电压OVSS低，因此发光二极管OLED不导通。由上述可知，于本公开的实施方式中，于补偿时间区间TP2内，于写入数据信号Vdata的同时重置发光二极管OLED的阳极即节点N2的电压，以使发光二极管OLED的阳极维持在较电源电压OVSS较低的电压，以确保发光二极管OLED不会发亮。于部分的实施例中，节点N2的分压为-5V，而电源电压OVSS为-3.3V，然而本公开的实施方式不以此为限。请一并参阅图4与图7。图7是根据本公开的一些实施例所示出的一种像素电路300操作于发光时间区间TP3的操作示意图。如图4所示出，于发光时间区间TP3内，扫描信号Scan[N]回到高电位VH，补偿信号Vcomp[N]由电位V2降至电位V3。需注意的是，于扫描信号Scan[N]由低电位VL升高至高电位VH后，补偿信号Vcomp[N]才由电位V2降至电位V3，如此才不会造成像素电路300的操作错误。如图7所示出，于发光时间区间TP3内，由于扫描信号Scan[N]回到高电位VH，晶体管T10、T11的控制端接收扫描信号Scan[N]的高电位VH，因此晶体管T10、T11不导通。此时，电容C3为浮接floating的状态。由于电容C3的第一端的电位由电位V2下降至电位V3即V2-VTH_TC，由于电容耦合，当电容C3的第一端的电位下降跨压VTH_TC的电压值时，电容C3的第二端的电位亦会下降跨压VTH_TC的电压值。即电容C3的第二端的电位会由电位Vdata下降至Vdata-VTH_TC。而由于晶体管T12的特性与晶体管TC类似，因此晶体管T12的临界电压|VTH_T12|与晶体管Tc的临界电压|VTH_Tc|相同，即电位Vdata-VTH_TC＝电位Vdata-VTH_T12。此外，由于电位Vdata-VTH_TC仍为低电位，此时晶体管T12导通，电流由电源电压OVDD经由晶体管T12以及发光二极管OLED流至电源电压OVSS。此时，发光二极管OLED发亮。晶体管T12产生的驱动电流IOLED由《公式1》可得知。《公式1》如下所示：由上述可知，于本公开的实施方式中，于发光时间区间TP3内，可于控制发光二极管OLED发亮的同时对驱动晶体管T12进行补偿。此外，请一并参阅图1。由于移位暂存电路150A至150M的晶体管Tc与像素电路P11至PM1的晶体管T12相近，于本公开的实施方式中，利用邻近晶体管的电性接近的特性，因此，通过上述操作而能通过移位暂存电路150A至150M来补偿像素电路P11至PM1的晶体管T12。由上述可知，于本公开的实施方式中，于像素电路中仅需三个晶体管和一个电容3T1C即可实现，相较于传统的补偿电路元件数较少。于本公开的实施方式中结合了补偿与调光控制功能。详细而言，于复位时间区间TP1内，利用电容耦合couple的方式关闭晶体管T12以及发光二极管OLED，以达到电磁调光EMdimming的功能；于补偿时间区间TP2内，于写入数据信号Vdata的同时重置发光二极管OLED的阳极即节点N2的电压，以使发光二极管OLED的阳极维持在较电源电压OVSS较低的电压，以确保发光二极管OLED不会发亮；于发光时间区间TP3内，可于控制发光二极管OLED发亮的同时对驱动晶体管T12进行补偿。此外，本公开的实施方式亦利用邻近晶体管的电性接近的特性，于补偿像素电路P11至PM1的晶体管T12的同时对移位暂存电路150A至150M的晶体管Tc进行补偿。请回头参阅图2。如图2所示出，移位暂存电路200还包含晶体管T9、T10、T11。晶体管T9耦接于输出端OT1。晶体管T10、T11耦接于输出端OT2。输出端OT2用以输出如图4中的扫描信号Scan[N]至如图3中的像素电路300。需注意的是，于本公开的实施方式中，输出端OT2所输出的信号除了可作为使能信号EM[N]输出至下一级的移位暂存电路之外，亦可作为扫描信号Scan[N]输出至像素电路300。如图2所绘式的移位暂存电路200仅作为例示说明之用，各种形式的移位暂存电路200配合如图4所示的信号波形图400以及如图3所示的像素电路300均可实现本公开的技术特征，本公开的实施方式并不以图2所绘式的移位暂存电路200为限。此外，于实作上，晶体管T1至T12、Tc可以用P型的低温多晶硅薄膜晶体管来实现，但本实施例并不以此为限。例如，晶体管T1至T12、Tc也可以用P型的非晶硅amorphoussilicon薄膜晶体管来实现。在一些实施方式中，也可以采用N型的薄膜晶体管来实现，本发明不限制所采用的晶体管形态。请参阅图8。图8是根据本公开的一些实施例所示出的另一种移位暂存电路800的示意图。移位暂存电路800与图2的移位暂存电路200的差异在于移位暂存电路800还包含晶体管Td，其余的元件与结构与移位暂存电路200相同。如图8所示出，晶体管Td与晶体管Tc并联，且晶体管Td与晶体管Tc相同。于此处并联的晶体管数量可依据栅极负荷的需求调整，然而，晶体管并联的数量并不会影响本公开中的补偿功能。请参阅图9。图9是根据本公开的一些实施例所示出的另一种像素电路900的示意图。像素电路900与如图3的像素电路300的差异在于晶体管T11的第二端所接收的信号为补偿信号Vcomp[N-1]，其余的元件与结构与移位像素电路300相同。即于像素电路900中，晶体管T11的第二端所接收的信号为前一级的移位暂存电路所输出的补偿信号。请一并参阅图4，由于在补偿时间区间TP2内，补偿信号Vcomp[N-1]的电位降至电位V3，而此时补偿信号Vcomp[N]的电位为电位V2，即补偿信号Vcomp[N-1]的电位较补偿信号Vcomp[N]的电位还要低。如此，于补偿时间区间TP2内，可于发光二极管OLED的阳极端制造出更低的分压，于重置发光二极管OLED的阳极端的电压时可达到优选的效果，并更好的控制使发光二极管OLED不会发亮。请参阅图10。图10是根据本公开的一些实施例所示出的另一种移位暂存电路1000的示意图。移位暂存电路800与图2的移位暂存电路200的差异在于移位暂存电路800不包含晶体管T7、T8，其余的元件与结构与移位暂存电路200相同。即，于移位暂存电路1000中，将输出补偿信号Vcomp[N]与输出扫描信号Scan[N]或使能信号EM[N]的电路分开以不同的电路实现。此外，移位暂存电路1000亦可如图8所示出将晶体管Td与晶体管Tc并联。图2中的移位暂存电路200、图3中的像素电路300、图9中的像素电路900以及如图10中的移位暂存电路1000可互相搭配实施。例如图2中的移位暂存电路200可搭配图3中的像素电路300或图9中的像素电路900，而图10中的移位暂存电路1000可搭配图3中的像素电路300或图9中的像素电路900。综上所述，本公开内容的显示面板可达到结合补偿与调光控制功能。此外，于本公开的实施方式中，像素电路中仅需三个晶体管和一个电容3T1C即可实现补偿与调光控制的功能，相较于传统的补偿电路元件数较少。再者，于本公开的实施方式中并利用邻近晶体管的电性接近的特性，通过上述操作而能通过移位暂存电路以补偿像素电路的晶体管。在说明书及权利要求中使用了某些词汇来指称特定的元件。然而，所属技术领域中技术人员应可理解，同样的元件可能会用不同的名词来称呼。说明书及权利要求并不以名称的差异做为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来做为区分的基准。在说明书及权利要求所提及的“包含”为开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。另外，“耦接”在此包含任何直接及间接的连接手段。因此，若文中描述第一元件耦接于第二元件，则代表第一元件可通过电性连接或无线传输、光学传输等信号连接方式而直接地连接于第二元件，或者通过其他元件或连接手段间接地电性或信号连接至该第二元件。另外，除非说明书中特别指明，否则任何单数格的用语都同时包含多个格的涵义。虽然本公开内容已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本公开内容，任何本领域技术人员，在不脱离本公开内容的精神和范围内，当可作各种变动与润饰，因此本公开内容的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

权利要求：1.一种显示面板，包含：一第一移位暂存电路，包含一第一晶体管，耦接于一第一输出端，其中，该第一输出端输出一补偿信号；一像素电路，包含：一电容，其中该电容的一第一端用以接收该补偿信号，而该电容的一第二端耦接于一第一节点；一第二晶体管，用以依据该第一移位暂存电路输出的一扫描信号接收一数据信号；一第三晶体管，用以依据该扫描信号接收该补偿信号，其中该第三晶体管的一第一端耦接于一第二节点；一第四晶体管，其中该第四晶体管的一控制端耦接于该第一节点，该第四晶体管的一第一端耦接于该第二节点，该第四晶体管的一第二端用以接收一第一电源电压；一发光二极管，其中该发光二极管的一第一端耦接于该第二节点，该发光二极管的一第二端用以接收一第二电源电压；其中该第四晶体管与该第一晶体管相同。2.如权利要求1的显示面板，其中，该第一移位暂存电路还包含：一第五晶体管，与该第一晶体管并联，且该第五晶体管与该第一晶体管相同。3.如权利要求1的显示面板，其中，该第一移位暂存电路用以由该第一输出端输出该第一补偿信号至该像素电路的该电容的该第一端以及该像素电路的该第三晶体管的一第二端。4.如权利要求3的显示面板，其中，该第一移位暂存电路还包含：一第五晶体管，耦接于该第一输出端；一第六晶体管；以及一第七晶体管，其中该第六晶体管与该第七晶体管耦接于该第一移位暂存电路的一第二输出端，且该第一移位暂存电路的该第二输出端用以输出该扫描信号至该像素电路。5.如权利要求1的显示面板，其中，该第一移位暂存电路用以由该第一移位暂存电路的该第一输出端输出该第一移位暂存电路的该补偿信号至该像素电路的该电容的该第一端，其中该显示面板还包含：一第二移位暂存电路，用以由该第二移位暂存电路的一第一输出端输出该第二移位暂存电路的一第二补偿信号至该第三晶体管的一第二端，其中该第二移位暂存电路为该第一移位暂存电路的前一级。6.如权利要求5的显示面板，其中，该第一移位暂存电路还包含：一第五晶体管，耦接于该第一移位暂存电路的该第一输出端；一第六晶体管；以及一第七晶体管，其中该第六晶体管与该第七晶体管耦接于该第一移位暂存电路的一第二输出端，且该第一移位暂存电路的该第二输出端用以输出该扫描信号。7.如权利要求1的显示面板，其中，该补偿信号于一补偿时间区间内由一第一电位下降为一第二电位，并于一发光时间区间内由该第二电位下降为一第三电位，其中该第二电位为该第三电位加上该第一晶体管的跨压。8.如权利要求7的显示面板，其中，于该扫描信号由一第四电位升高至一第五电位后，该补偿信号由该第二电位降至该第三电位。9.如权利要求7的显示面板，其中，于一复位时间区间内，该电容将该第一电位由该电容的该第一端耦合至该电容的该第二端，以使该第四晶体管不导通。10.如权利要求7的显示面板，其中，于该补偿时间区间内，该第二节点的电位小于该第二电源电压，以使该发光二极管不导通，其中该第二晶体管导通以传送该数据信号至该第二节点。11.如权利要求7的显示面板，其中，于该发光时间区间内，该第二节点的电位为该数据信号的电位扣除该第四晶体管的跨压，以于该发光二极管导通的同时补偿该第四晶体管。

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