申请/专利权人：赛灵思公司

申请日：2018-08-27

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN111108459B

主分类号：G05F1/575(20060101)

分类号：G05F1/575(20060101);G05F1/46(20060101)

优先权：["20170831 US 15/693,028"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.16#授权;2020.09.18#实质审查的生效;2020.05.05#公开

摘要：公开了一种涉及电压调节的装置和方法。在该装置上，一种集成电路100，200包括具有第一增益的第一差分运放120，第一差分运放被配置为接收参考电压106和反馈电压141。具有小于第一增益的第二增益的第二差分运放110，第二差分运放被配置为接收参考电压和反馈电压。驱动器晶体管104，其被配置为在输出电压节点140处提供输出电压150并接收从第二差分运放输出的选通电压148。第一差分运放的差分输出121被配置为用于选通第二差分运放的电流源晶体管115。电容器135，其连接到驱动器晶体管和电流源晶体管。

主权项：1.一种用于电压调节的集成电路，其特征在于，包括：a第一差分运放120，其被配置为接收参考电压106和反馈电压141，并生成放大信号121；b第二电路110，其包括：第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管111和第二PMOS晶体管112，其相应的源极端子耦接到电源总线，并且其相应的栅极端子共同耦接到第一连接节点138；具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子136的第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管113，其中所述第一栅极端子被耦接以接收所述反馈电压141，所述第一漏极端子136耦接到所述第一PMOS晶体管111的漏极节点，并且所述第一源极端子耦接到电容器节点134；具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子的第二NMOS晶体管114，其中所述第二栅极端子被耦接以接收所述参考电压106，所述第二漏极端子137耦接到所述第二PMOS晶体管112的漏极节点；并且所述第二源极端子耦接到所述电容器节点134；第一电阻器116，其耦接在所述第一连接节点138和所述第一漏极节点136之间；第二电阻器117，其耦接在所述第一连接节点138和所述第二漏极节点137之间；以及，电流源晶体管115，其具有耦接到所述电容器节点134的第三漏极端子以及被配置为接收所述放大信号121的第三栅极端子149；c驱动器晶体管104，其被配置为在输出电压节点140处提供输出电压150，并从所述第一连接节点138接收选通电压输出148；以及，d第一电容器135，其连接在所述第一连接节点138和所述电容器节点134之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赛灵思公司 低电压调节器

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