申请/专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司

申请日：2020-01-20

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN113138545A

主分类号：G03F9/00(20060101)

分类号：G03F9/00(20060101);G03F7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.03#授权;2021.08.06#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：本发明提供曝光方法和离焦量测量方法，其中，所述曝光方法包括：对掩模板进行分区，分为图形区和离焦标记区，所述离焦标记区位于所述图形区的边缘；在所述掩模板上方设置光阑，通过所述光阑使透过所述离焦标记区的光对光刻胶层的侧壁实现非对称照明，以及使透过所述图形区的光对所述光刻胶的曝光区实现对称照明，进而完成对所述光刻胶层的曝光。采用本发明提供的曝光方法，对光刻胶侧壁进行非对称照明，在不影响对曝光区曝光的同时，也使得曝光之后进行离焦量测量时，可以减小离焦量测量误差，提高量测量精度，降低测量重复性；另外，采用本发明提供的曝光方法，所述掩模板不必进行梳状掩模设计，因此可以降低掩模设计与制造成本。

主权项：1.一种曝光方法，其特征在于，包括：对掩模板进行分区，分为图形区和离焦标记区，所述离焦标记区位于所述图形区的边缘；在所述掩模板的上方设置光阑，通过所述光阑使透过所述离焦标记区的光对光刻胶层的侧壁实现非对称照明，以及使透过所述图形区的光对所述光刻胶的曝光区实现对称照明，进而完成对所述光刻胶层的曝光。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海微电子装备(集团)股份有限公司 曝光方法及离焦量测量方法

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