申请/专利权人：ASM IP 控股有限公司

申请日：2021-01-14

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN113140621A

主分类号：H01L29/24(20060101)

分类号：H01L29/24(20060101);H01L21/02(20060101)

优先权：["20200117 US 62/962,575"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：本发明提供在反应空间中的衬底上沉积含硅薄膜，例如SiCN膜的方法。所述方法可包括利用包含卤素的气相硅前体和包含胺反应物的第二气相反应物的气相沉积工艺。在一些实施例中，原子层沉积ALD循环包含使所述衬底交替且依次与包含卤素的硅前体和包含胺反应物的第二反应物接触。在一些实施例中，通过使所述衬底与卤代硅烷，例如八氯三硅烷和包含二胺或三胺的胺反应物交替地接触来沉积SiCN薄膜。

主权项：1.一种通过包含至少一个沉积循环的原子层沉积ALD工艺在反应空间中的衬底上形成含硅薄膜的方法，所述至少一个沉积循环包含：使所述衬底与包含卤素的气相硅前体接触；以及使所述衬底与胺反应物接触，其中在所述沉积循环中未利用等离子体反应物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASM IP 控股有限公司 形成SiCN薄膜

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