申请/专利权人：ASM IP 控股有限公司

申请日：2021-01-14

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN113140444A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101)

优先权：["20200117 US 62/962,667"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：提供了在反应空间中的衬底上沉积含硅薄膜的方法。所述方法可以包括包含至少一个沉积循环的气相沉积工艺，所述至少一个沉积循环包括使衬底与包含卤代硅烷的硅前体和包含酰基卤的第二种反应物依序接触。在一些实施例中，沉积SiO,C,N薄膜且通过调节沉积条件能够调节膜中的氮和碳浓度。

主权项：1.一种利用包含至少一个沉积循环的循环气相沉积工艺在反应空间中的衬底上形成含硅薄膜的方法，所述至少一个沉积循环包含：使所述衬底与包含卤代硅烷的气相硅前体接触；使所述衬底与胺反应物接触；以及使所述衬底与酰基卤或羧酸反应物接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASM IP 控股有限公司 SiOCN薄膜的形成

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