申请/专利权人:英飞凌科技奥地利有限公司
申请日:2021-01-15
公开(公告)日:2021-07-20
公开(公告)号:CN113140537A
主分类号:H01L23/488(20060101)
分类号:H01L23/488(20060101);H01L21/603(20060101)
优先权:["20200120 EP 20152638.1"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.08.06#实质审查的生效;2021.07.20#公开
摘要:本发明公开了一种SiC功率半导体器件,其包括:包括SiC和金属化层的功率半导体管芯,其中,金属化层包括第一金属;管芯载体,其中,功率半导体管芯布置在管芯载体之上,使得金属化层面对管芯载体,管芯载体至少部分地由包括Ni的镀覆部覆盖;以及第一金属间化合物,该第一金属间化合物布置在功率半导体管芯和镀覆部之间并且包括Ni3Sn4。
主权项:1.一种SiC功率半导体器件,包括:功率半导体管芯,所述功率半导体管芯包括SiC和金属化层,其中,所述金属化层包括第一金属,管芯载体,其中,所述功率半导体管芯布置在所述管芯载体之上,使得所述金属化层面对所述管芯载体,所述管芯载体至少部分地由包括Ni的镀覆部覆盖,以及第一金属间化合物,所述第一金属间化合物布置在所述功率半导体管芯和所述镀覆部之间并包括Ni3Sn4。
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百度查询: 英飞凌科技奥地利有限公司 功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法
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