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【发明公布】抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202110056902.7 

申请/专利权人:三星SDI株式会社

申请日:2021-01-15

公开(公告)日:2021-07-20

公开(公告)号:CN113138532A

主分类号:G03F7/004(20060101)

分类号:G03F7/004(20060101);G03F7/09(20060101)

优先权:["20200117 KR 10-2020-0006770"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.08.06#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要:本发明公开一种抗蚀剂底层组合物,包含:A包含由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的化合物或其组合的聚合物;B包含其中由化学式3或化学式4表示的部分中的至少一个和由化学式7表示的部分彼此键结的结构的聚合物;以及C溶剂;且还公开一种使用抗蚀剂底层组合物形成图案的方法,化学式1到化学式4和化学式7的定义如说明书中所描述。

主权项:1.一种抗蚀剂底层组合物,包括:A包含由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的化合物或其组合的聚合物;B包含其中由化学式3或化学式4表示的部分中的至少一个和由化学式7表示的部分彼此键结的结构的聚合物;以及C溶剂:[化学式1] 其中,在化学式1中,R1和R2独立地为羟基、经取代或未经取代的C1到C20烷氧基、卤素、经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C6到C30杂芳基或其组合,L1和L2独立地为单键、经取代或未经取代的C1到C20亚烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C20亚杂烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基或其组合,且*为键联点;[化学式2] 其中,在化学式2中,R3到R6独立地为羟基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、卤素原子、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合,且L3为单键、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基或其组合;[化学式3] [化学式4] 其中,在化学式3和化学式4中,Ra和Rb独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C6到C20芳基、经取代或未经取代的C1到C10杂烷基、经取代或未经取代的C2到C20杂烯基、经取代或未经取代的C3到C20杂环烷基、或经取代或未经取代的C6到C20杂芳基或其组合,Rc为以下各项:末端基团,为经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C1到C10杂烷基、经取代或未经取代的C2到C20杂烯基、经取代或未经取代的C3到C20杂环烷基或其组合;由键联到所述末端基团的化学式5或化学式6表示的结构单元;由化学式6表示的基团;或由其组合表示的基团,且化学式3或化学式4在每一个*位置处键联到由化学式7中的*所指示的点;[化学式5] [化学式6] 其中,在化学式5和化学式6中,L3和L4独立地为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基、经取代或未经取代的C1到C20亚杂烷基或其组合,Ra和Rb独立地与化学式3和化学式4中定义的相同,且*为键联点;[化学式7] 其中,在化学式7中,A为单键、经取代或未经取代的C1到C10亚烷基、-C=O-、-COO-、-OCOO-或其组合,X为单键、-O-、-S-、-S=O-、-S=O2-、-C=O-、-COO-、-OCOO-、-NR-或其组合,其中R为氢、氘或C1到C10烷基,Rd为氢、氘、卤素、羟基、氰基、硝基、氨基、环氧基、乙烯基、甲基丙烯酸酯基、氧杂环丁烷基、硫醇基、羧基、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的C2到C30炔基、经取代或未经取代的C1到C10烷氧基、经取代或未经取代的C3到C10环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C6到C30芳氧基或其组合,Re为氢、氘以及C1到C10烷基中的一个,n1为1到10,000,且*键联到化学式3或化学式4,或键联到氢、氘、卤素、羟基、氰基、硝基、氨基、环氧基、乙烯基、甲基丙烯酸酯基、氧杂环丁烷基、硫醇基、羧基、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的C2到C30炔基、经取代或未经取代的C1到C10烷氧基、经取代或未经取代的C3到C10环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C6到C30芳氧基或其组合,前提是化学式3或化学式4中的至少一个键联到化学式7中的*。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星SDI株式会社 抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法

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