申请/专利权人：中国振华集团云科电子有限公司

申请日：2021-06-03

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN113135752A

主分类号：C04B35/465(20060101)

分类号：C04B35/465(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/645(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.09.29#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.08.06#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：一种高介电低损耗高频微波复合介质基板的制备方法，属于微波电子元器件陶瓷材料领域，包括如下步骤：按照摩尔比对CaTiO3、Li0.5Sm0.5TiO3进行配料形成CLST瓷粉；瓷粉球磨；高温烧结；使用硅烷偶联剂对瓷粉进行表面处理；将经过表面处理的瓷粉与聚四氟乙烯乳液进行配料；加入破乳剂进行破乳；经静置和过滤形成复合面团；过压延成型或者模压成型；将成型生坯双面覆铜箔进行热压烧结，形成高介电低损耗高频微波复合介质基板。解决了现有微波介质陶瓷材料介电常数低、损耗大、谐振频率温度系数较大、不具备连续批产能力的问题。广泛应用于航天电子装备电路板、卫星通讯、北斗系统等现代微波电子通讯领域。

主权项：1.一种高介电低损耗高频微波复合介质基板的制备方法，包括如下步骤：1CLST瓷粉原料制备：按摩尔比1:1，将CaCO3与Ti02进行配料，在1180℃的温度炉中烧结3h，合成CaTiO3瓷粉；按摩尔比0.5:0.5:1，将Li2O、Sm2O3、Ti02进行配料，在1120℃的温度炉中烧结2h，合成Li0.5Sm0.5TiO3瓷粉；2CLST瓷粉制备：将CaTiO3与Li0.5Sm0.5TiO3按摩尔比0.6～0.8:0.4～0.2进行配料，在1100℃～1200℃的高温炉中，烧结2h～5h，合成高介电CLST微波瓷粉；3CLST瓷粉表面处理：使用硅烷偶联剂对CLST瓷粉进行表面处理；4CLST瓷粉与乳液混合：按质量百分比，将经过表面处理的CLST瓷粉按照1-xCLST瓷粉+x聚四氟乙烯乳液进行配料，采用高速搅拌装置对混合液进行充分的高速搅拌，制备混合均匀的聚四氟乙烯陶瓷复合乳液；5破乳：加入破乳剂，采用高速搅拌装置进行充分的高速搅拌，使混合乳液絮凝沉淀析出，整个过程进行高速搅拌；6静置与过滤：将混合液充分静置后，进行过滤，形成复合面团；7压制成型：复合面团经过压延成型或者模压成型；8热压烧结：将成型生坯双面覆铜箔进行热压烧结，形成高介电低损耗高频微波复合介质基板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国振华集团云科电子有限公司 一种高介电低损耗高频微波复合介质基板生产方法

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