申请/专利权人：晶芯成(北京)科技有限公司

申请日：2021-06-22

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN113140464A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L21/266(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.06.17#发明专利申请公布后的驳回;2021.08.06#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：基底、第一侧墙和第二侧墙。其中，在形成第二侧墙之前，所述基底、所述栅极和所述第一侧墙表面覆盖有具有设定厚度的牺牲氧化层。所述牺牲氧化层用于保护所述基底、所述栅极和所述第一侧墙，避免其在去胶清洗过程中因被侵蚀而出现形貌凹陷、沟道变短和漏电流等问题，提高器件性能和可靠性。此外，牺牲氧化层的设定厚度较薄，故在执行离子注入过程中，配合离子注入自动控制系统能够实现精准注入，对注入效果没有影响。且在离子注入过程中，牺牲氧化层会自然氧化逐渐变薄，加之在去胶的过程中，会一并将牺牲氧化层去除。因此，无需单独执行一步骤用于去除牺牲氧化层，操作简单，成本低。

主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上形成有栅极；形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极的侧壁；形成具有设定厚度的牺牲氧化层，所述牺牲氧化层覆盖所述基底、所述栅极和所述第一侧墙；形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层遮蔽所述栅极和部分所述基底，并暴露出与所述第一侧墙相接的所述基底上的部分所述牺牲氧化层；以所述图案化光刻胶层和所述第一侧墙为阻挡，对所述基底执行第一离子注入工艺，以在所述栅极两侧的所述基底中形成轻掺杂漏结构；去除所述图案化光刻胶层，并同时消耗去除所述牺牲氧化层；形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶芯成(北京)科技有限公司 半导体器件及其制备方法

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