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【发明授权】具有高饱和电流与低磁芯损耗的磁性装置_乾坤科技股份有限公司_201610458778.6 

申请/专利权人:乾坤科技股份有限公司

申请日:2013-05-15

公开(公告)日:2021-07-20

公开(公告)号:CN106158246B

主分类号:H01F17/04(20060101)

分类号:H01F17/04(20060101);H01F27/255(20060101);H01F27/28(20060101);H01F27/29(20060101)

优先权:["20130110 US 13/738,674"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.07.20#授权;2016.12.21#实质审查的生效;2016.11.23#公开

摘要:本发明公开了一种磁性装置,包括T形磁芯、线圈以及磁性体。T形磁芯包括底座以及柱体,且由退火软质磁性金属材料制成,T形磁芯的磁芯损耗PCLmWcm3满足下列不等式:0.64*f0.95*Bm2.20≤PCL≤7.26*f1.41*Bm1.08,其中,fkHz表示适用于T形磁芯的磁场的频率,且BmkGauss表示所述磁场于所述频率的工作磁通密度。磁性体完全覆盖柱体、位于底座的底表面上方的底座的任何部位以及位于底座的顶表面正上方的线圈的任何部位。因此,本发明的具有退火T形磁芯的磁性装置可达成在重载具有高饱和电流且在轻载具有低磁芯损耗的功效。

主权项:1.一种磁性装置,其特征在于,包含:一T形磁芯,该T形磁芯由一退火软质磁性金属材料制成且包含一底座以及一柱体,该底座具有一上表面以及一下表面,该柱体位于该底座的该上表面上,该底座的该下表面暴露于外在环境而作为该磁性装置的一外表面;一中空线圈,缠绕于该柱体;以及一具有单一本体的磁性体,包覆该柱体以及该中空线圈,其中该具有单一本体的磁性体与该底座的该下表面形成该磁性装置的外表面;其中μC*HsatOe≥2520,其中,μC是该T形磁芯的导磁率,HsatOe是磁场于80%的μC0时的强度,μC0是该T形磁芯于所述磁场的强度是0时的导磁率,以及μB*Hsat-B≥2250,其中,μB是所述磁性体的导磁率,Hsat-BOe是磁场于80%的μB0时的强度,μB0是所述磁性体于所述磁场的强度是0时的导磁率。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 乾坤科技股份有限公司 具有高饱和电流与低磁芯损耗的磁性装置

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