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【发明公布】使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法_信思优有限公司_201980056761.X 

申请/专利权人:信思优有限公司

申请日:2019-08-30

公开(公告)日:2021-07-23

公开(公告)号:CN113168941A

主分类号:H01B7/08(20060101)

分类号:H01B7/08(20060101);H01B7/02(20060101);H01B13/00(20060101);H01B13/06(20060101);H01B3/30(20060101)

优先权:["20180831 KR 10-2018-0103923"]

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态:2023.03.17#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要:本发明涉及一种使用纳米结构材料制造传输线的方法。该使用纳米结构材料制造传输线的方法包括:在由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层上方定位第一绝缘层;在所述第一绝缘层上方形成第一导电层;蚀刻所述第一导电层以形成发送或接收信号的第一图案;以及在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地GND层,其中,纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。根据本发明,通过在高电压下静电纺丝树脂而形成的纳米结构材料被用作传输线的电介质,使得传输线的电介质具有低介电常数并且能够在低介电常数状态下减小损耗正切值。此外,根据本发明的使用纳米结构材料的传输线可以用作低损耗扁平电缆,用于降低在五代移动通信网络5GNetwork中使用的从3.5GHz频带到28GHz频带中超高频信号的传输损耗。

主权项:1.一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法,该方法包括:在包括纳米氟隆的第一纳米氟隆层上方定位第一绝缘层;在所述第一绝缘层上方形成第一导电层;通过蚀刻所述第一导电层形成发送和接收信号的第一图案;以及在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层,其中,所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 信思优有限公司 使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法

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