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【发明公布】使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料的传输线和制造该传输线的方法_信思优有限公司_201980056921.0 

申请/专利权人:信思优有限公司

申请日:2019-08-30

公开(公告)日:2021-07-23

公开(公告)号:CN113168942A

主分类号:H01B7/08(20060101)

分类号:H01B7/08(20060101);H01B7/02(20060101);H01B13/00(20060101);H01B13/06(20060101);H01B3/30(20060101)

优先权:["20180831 KR 10-2018-0103930"]

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态:2023.02.03#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要:本发明涉及使用纳米结构材料的传输线和制造该传输线的方法。该使用纳米结构材料的传输线包括:由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层,在该第一纳米氟隆层上方形成有第一涂层,并且在该第一纳米氟隆层下方形成有第二涂层,第一涂层和第二涂层涂有绝缘材料;通过蚀刻形成在第一涂层上的第一导电层而形成的第一图案;以及形成在第二涂层下方的第一接地GND层,其中所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。根据本发明,通过在高电压下静电纺丝树脂而形成的纳米结构材料被用作传输线的电介质,使得传输线的电介质具有低介电常数并且能够在低介电常数状态下减小损耗正切值。此外,根据本发明的使用纳米结构材料的传输线可以用作低损耗扁平电缆,用于降低在五代移动通信网络5GNetwork中使用的从3.5GHz频带到28GHz频带中超高频信号的传输损耗。

主权项:1.一种使用纳米结构材料的传输线,该传输线包括:由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层,在该第一纳米氟隆层上方形成由绝缘材料形成的第一涂层,并且在该第一纳米氟隆层下方形成由绝缘材料形成的第二涂层;第一图案,其由形成在所述第一涂层上的第一导电层而形成;以及第一接地层,其形成在所述第二涂层下方,其中,所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 信思优有限公司 使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料的传输线和制造该传输线的方法

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