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【发明公布】用于钨的钼模板_朗姆研究公司_201980076277.3 

申请/专利权人:朗姆研究公司

申请日:2019-11-18

公开(公告)日:2021-07-23

公开(公告)号:CN113169056A

主分类号:H01L21/28(20060101)

分类号:H01L21/28(20060101);H01L21/285(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/768(20060101);H01L27/11551(20060101);H01L27/11524(20060101)

优先权:["20181119 US 62/769,479"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要:本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠件结构以及相关的制造方法。所述方法涉及在具有大晶粒尺寸的薄的低电阻率过渡金属层上形成主体导电膜。主体导电膜跟随低电阻率过渡金属膜的晶粒,导致较大的晶粒尺寸。还提供了包括模板层和主体膜的设备。

主权项:1.一种方法,其包括:在衬底上的特征中沉积含钼Mo层;以及在所述含钼层上沉积钨W,从而用钨填充所述特征。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 朗姆研究公司 用于钨的钼模板

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