申请/专利权人:安徽工业大学
申请日:2021-04-20
公开(公告)日:2021-07-23
公开(公告)号:CN113148966A
主分类号:C01B21/068(20060101)
分类号:C01B21/068(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.04.29#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开
摘要:本发明提供氨解法制备高纯氮化硅粉体方法,涉及氮化硅制备领域。该氨解法制备高纯氮化硅粉体方法,包括以下内容,向反应容器中加入溶剂和四氯化硅,控制容器中的温度和压器,并向溶剂中融入液氨,并减小容器中的压强,使得液氨气化沸腾,扰动整个反应体系,获得氮化硅前驱体,接着将硅前驱体灼烧、粉碎和焙烧处理,获得氮化硅。通过将反应物充分接触,氮化硅前驱体生成效率高,且氮化硅前驱体的颗粒大小可以通过溶剂量和液氨通入气化的速度控制,利于对最终产品氮化硅粒度的控制。
主权项:1.氨解法制备高纯氮化硅粉体方法,其特征在于,包括以下步骤:1、氮化硅前驱体制备1.1、向反应容器中加入溶剂和四氯化硅,控制容器中的温度为-25~-35℃,容器内的压强为当前温度氨气刚开始液化的值;1.2、向溶剂中融入液氨,并减小容器中的压强,使得液氨气化沸腾,扰动整个反应体系,获得氮化硅前驱体;1.3、将氨气收集加压液化,再次通入溶剂中,实现氨气循环;2、前驱体焙烧2.1、将获得氮化硅前驱体进行灼烧,灼烧产生的气体收集净化处理;2.2、灼烧后的氮化硅前驱体进行破碎处理;2.3、破碎后的氮化硅前驱体进行焙烧处理,获得氮化硅粉体。
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权利要求:
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