【发明公布】一种LED外延结构及其生长方法_湘能华磊光电股份有限公司_202110424846.8 

申请/专利权人:湘能华磊光电股份有限公司

申请日:2021-04-20

公开(公告)日:2021-07-23

公开(公告)号:CN113161451A

主分类号:H01L33/00(20100101)

分类号:H01L33/00(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/32(20100101);C30B25/02(20060101);C30B25/16(20060101);C30B29/40(20060101);C30B29/68(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.07.23#公开

摘要:本发明提供了一种LED外延结构生长方法。包括在衬底上依次生长第一GaN层、第二GaN层、第三GaN层、第一超晶格层、第二超晶格层和发光层;所述第一超晶格层的生长工艺为交替生长掺杂Si的N型GaN和不掺杂Si的InxGa1‑xN,其中,x=0.10‑0.15,交替生长周期数为6‑10个。本发明还提供了一种LED外延结构,包括从下至上层叠设置的衬底、第一GaN层、第二GaN层、第三GaN层、第一超晶格层、第二超晶格层、发光层、第一P型GaN层、P型AlGaN层、第二P型GaN层和第三P型GaN层,本发明利用Si在第三GaN层、第一超晶格层和第二超晶格层中的分布,扩大了外延结构的电容,增加了LED外延结构中有效电子的数量。

主权项:1.一种LED外延结构生长方法,其特征在于,包括在衬底上依次生长第一GaN层、第二GaN层、第三GaN层、第一超晶格层、第二超晶格层和发光层;所述第一超晶格层的生长工艺为交替生长掺杂Si的N型GaN和不掺杂Si的InxGa1-xN,其中,x=0.10-0.15,交替生长周期数为6-10个;生长掺杂Si的N型GaN:在830-850℃温度条件下,使反应腔压力为150-250mbar,通入NH3、TMGa、N2、H2和SiH4,持续生长30-60nm掺杂Si的N型GaN;生长不掺杂Si的InxGa1-xN:保持温度和压力不变,通入NH3、TEGa和TMIn,持续生长1-1.5nm不掺杂Si的InxGa1-xN。

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权利要求:

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