申请/专利权人：湘能华磊光电股份有限公司

申请日：2021-04-20

公开（公告）日：2021-07-23

公开（公告）号：CN113161451A

主分类号：H01L33/00(20100101)

分类号：H01L33/00(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/32(20100101);C30B25/02(20060101);C30B25/16(20060101);C30B29/40(20060101);C30B29/68(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.28#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：本发明提供了一种LED外延结构生长方法。包括在衬底上依次生长第一GaN层、第二GaN层、第三GaN层、第一超晶格层、第二超晶格层和发光层；所述第一超晶格层的生长工艺为交替生长掺杂Si的N型GaN和不掺杂Si的InxGa1‑xN，其中，x＝0.10‑0.15，交替生长周期数为6‑10个。本发明还提供了一种LED外延结构，包括从下至上层叠设置的衬底、第一GaN层、第二GaN层、第三GaN层、第一超晶格层、第二超晶格层、发光层、第一P型GaN层、P型AlGaN层、第二P型GaN层和第三P型GaN层，本发明利用Si在第三GaN层、第一超晶格层和第二超晶格层中的分布，扩大了外延结构的电容，增加了LED外延结构中有效电子的数量。

主权项：1.一种LED外延结构生长方法，其特征在于，包括在衬底上依次生长第一GaN层、第二GaN层、第三GaN层、第一超晶格层、第二超晶格层和发光层；所述第一超晶格层的生长工艺为交替生长掺杂Si的N型GaN和不掺杂Si的InxGa1-xN，其中，x＝0.10-0.15，交替生长周期数为6-10个；生长掺杂Si的N型GaN：在830-850℃温度条件下，使反应腔压力为150-250mbar，通入NH3、TMGa、N2、H2和SiH4，持续生长30-60nm掺杂Si的N型GaN；生长不掺杂Si的InxGa1-xN：保持温度和压力不变，通入NH3、TEGa和TMIn，持续生长1-1.5nm不掺杂Si的InxGa1-xN。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘能华磊光电股份有限公司 一种LED外延结构及其生长方法

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