申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-03-04

公开（公告）日：2021-07-23

公开（公告）号：CN113169120A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.16#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：本公开的方面提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：形成在第一电介质层中的沟槽；填充沟槽的一部分的沟槽填充物层；在沟槽填充物层之上的导电层；以及在导电层之上的第二电介质层。第二电介质层设置在沟槽中。半导体器件还可以包括被配置为通过第二电介质层中的孔连接到导电层的接触结构。

主权项：1.一种半导体器件，包括：沟槽，所述沟槽形成在第一电介质层中；沟槽填充物层，所述沟槽填充物层填充所述沟槽的一部分；第一导电层，所述第一导电层在所述沟槽填充物层之上；第二电介质层，所述第二电介质层在所述第一导电层之上，所述第二电介质层设置在所述沟槽中；以及接触结构，所述接触结构被配置为通过所述第二电介质层中的孔连接到所述第一导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 接触结构及其形成方法

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