申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2019-11-19

公开（公告）日：2021-07-23

公开（公告）号：CN113169172A

主分类号：H01L27/11514(20060101)

分类号：H01L27/11514(20060101);H01L27/11504(20060101);H01L27/11512(20060101);H01L27/11509(20060101)

优先权：["20181129 US 16/204,224"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：一种存储器阵列包括绝缘材料和存储器单元的竖直交替层。所述存储器单元个别地包括晶体管，所述晶体管包括其间具有沟道区的第一和第二源极漏极区，以及以操作方式接近所述沟道区的栅极。所述个别存储器单元包括电容器，所述电容器包括其间具有电容器绝缘体的第一和第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极漏极区。字线结构竖向地延伸穿过所述竖直交替层的所述绝缘材料和所述存储器单元。所述存储器单元层中的不同者的所述栅极的个别者直接电耦合到所述字线结构的个别者。感测线电耦合到所述晶体管的个别者的所述第二源极漏极区中的多个。公开了其它实施例。

主权项：1.一种存储器阵列，其包括：绝缘材料和存储器单元的竖直交替层，所述存储器单元个别地包括：晶体管，其包括其间具有沟道区的第一和第二源极漏极区以及以操作方式接近所述沟道区的栅极；以及电容器，其包括其间具有电容器绝缘体的第一和第二电极，所述第一电极电耦合到所述第一源极漏极区；字线结构，其竖向地延伸穿过所述竖直交替层的所述绝缘材料和所述存储器单元，所述存储器单元层中的不同者的所述栅极的个别者直接电耦合到所述字线结构的个别者；以及感测线，其电耦合到所述晶体管的个别者的所述第二源极漏极区中的多个。

全文数据：

权利要求：

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