申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2019-11-26

公开（公告）日：2021-07-23

公开（公告）号：CN113169168A

主分类号：H01L27/06(20060101)

分类号：H01L27/06(20060101);H01L27/07(20060101);H01L27/08(20060101);H01L27/10(20060101);H01L49/02(20060101);H01L27/11502(20060101)

优先权：["20181219 US 16/225,814"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：一种形成电容器阵列的方法包括形成多个水平间隔开的群组，所述多个水平间隔开的群组个别地包括上方具有电容器绝缘体的多个水平间隔开的下部电容器电极。所述群组中的邻近者比所述群组内的所述下部电容器电极中的邻近者水平间隔开更远。空隙空间位于所述邻近群组之间。在所述空隙空间中以及在所述群组中在所述电容器绝缘体及所述下部电容器电极上方形成上部电容器电极材料。所述空隙空间中的所述上部电容器电极材料与所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此连接。所述上部电容器电极材料未填满所述空隙空间。从所述空隙空间移除所述上部电容器电极材料的至少一部分以将所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此断开连接。在所述群组中的个别者中的所述上部电容器电极材料的顶部上形成水平伸长的导电线，所述水平伸长的导电线直接电耦合到所述上部电容器电极材料。本发明揭示其它方法，包含不依赖于制造方法的结构。

主权项：1.一种形成电容器阵列的方法，其包括：形成多个水平间隔开的群组，所述多个水平间隔开的群组个别地包括上方具有电容器绝缘体的多个水平间隔开的下部电容器电极，所述群组中的邻近者比所述群组内的所述下部电容器电极中的邻近者水平间隔开更远，空隙空间位于所述邻近群组之间；在所述空隙空间中以及在所述群组中在所述电容器绝缘体及所述下部电容器电极上方形成上部电容器电极材料，所述空隙空间中的所述上部电容器电极材料与所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此连接，所述上部电容器电极材料未填满所述空隙空间；从所述空隙空间移除所述上部电容器电极材料的至少一部分以将所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此断开连接；及在所述群组中的个别者中的所述上部电容器电极材料的顶部上形成水平伸长的导电线，所述水平伸长的导电线直接电耦合到所述上部电容器电极材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法

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