【发明公布】III族氮化物半导体发光元件及其制造方法_同和电子科技有限公司_201980082293.3 

申请/专利权人:同和电子科技有限公司

申请日:2019-12-11

公开(公告)日:2021-07-23

公开(公告)号:CN113169255A

主分类号:H01L33/32(20060101)

分类号:H01L33/32(20060101);H01L33/36(20060101)

优先权:["20181214 JP 2018-234216"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.07.23#公开

摘要:提供兼顾高发光输出和优异可靠性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。基于本发明的III族氮化物半导体发光元件在基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层和p侧反射电极,从前述发光层发出的光的发光中心波长为250nm以上且330nm以下,前述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下,前述p型接触层的膜厚为10nm以上且50nm以下,且该p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。

主权项:1.一种III族氮化物半导体发光元件,其特征在于,其在基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层和p侧反射电极,从所述发光层发出的光的发光中心波长为250nm以上且330nm以下,所述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下,所述p型接触层的膜厚为10nm以上且50nm以下,并且,该p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。

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