申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-02-01

公开（公告）日：2021-07-23

公开（公告）号：CN113161287A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101);H01L23/528(20060101);H01L21/8234(20060101)

优先权：["20200429 US 63/017,028","20200930 US 17/039,390"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：本申请的实施例是一种形成互连结构方法，包括：在掩模层中形成开口，该开口使掩模层下方的导电部件露出；使用无电镀沉积工艺在开口中形成导电材料，该导电材料形成导电通孔；去除掩模层；在导电通孔的顶面和侧壁上形成共形势垒层；在共形势垒层和导电通孔上方形成介电层；将共形势垒层从导电通孔的顶面去除；以及在导电通孔上方形成导电线并且该导电线电耦合到导电通孔。根据本申请的其他实施例，还提供了互连结构。

主权项：1.一种形成互连结构的方法，包括：在掩模层中形成开口，所述开口使所述掩模层下方的导电部件露出；使用无电镀沉积工艺在所述开口中形成导电材料，所述导电材料形成导电通孔；去除所述掩模层；在所述导电通孔的顶面和侧壁上形成共形势垒层；在所述共形势垒层和所述导电通孔上方形成介电层；将所述共形势垒层从所述导电通孔的所述顶面去除；以及在所述导电通孔上方形成导电线并且所述导电线电耦合到所述导电通孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 互连结构及其形成方法

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