申请/专利权人：德淮半导体有限公司

申请日：2019-08-21

公开（公告）日：2021-07-23

公开（公告）号：CN110473827B

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.23#授权;2019.12.13#实质审查的生效;2019.11.19#公开

摘要：一种基板的制造方法，包括：一种基板的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基板，所述半导体基板包括具有凹陷的第一介质层和设置在所述凹陷中的第一金属层，所述第一金属层包括第一金属；在所述半导体基板上形成第二介质层，以覆盖所述第一介质层和所述第一金属层；在所述第二介质层中形成第一开口，所述第一开口使得所述第一金属层的至少部分上表面露出；对所述第一金属层进行化学处理，以形成所述第一金属的化合物；以及形成第二金属层，所述第二金属层至少覆盖所述第一金属的化合物。所述基板可以是晶片。

主权项：1.一种基板的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基板，所述半导体基板包括具有凹陷的第一介质层和设置在所述凹陷中的第一金属层，所述第一金属层包括第一金属；在所述半导体基板上形成第二介质层，以覆盖所述第一介质层和所述第一金属层；在所述第二介质层中形成第一开口，所述第一开口使得所述第一金属层的至少部分上表面露出；对所述第一金属层进行化学处理，以形成所述第一金属的化合物，其中所述第一金属的化合物适于热分解；形成第二金属层，所述第二金属层至少覆盖所述第一金属的化合物；以及进行热处理，以使得所述第一金属的化合物热分解以形成所述第一金属。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德淮半导体有限公司 基板制造方法和基板接合方法

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