申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN113410231A

主分类号：H01L27/092(20060101)

分类号：H01L27/092(20060101);H01L21/8238(20060101)

优先权：["20200316 US 16/819,832"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：本发明涉及具有分段外延半导体层的晶体管，揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。第一及第二栅极结构延伸于半导体本体上方，第二栅极结构延伸于半导体本体上方。源漏区横向位于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。该源漏区包括第一半导体层及第二半导体层。该第一半导体层具有第一区段与第二区段。该第二半导体层横向位于该第一半导体层的该第一区段与该第一半导体层的该第二区段之间。

主权项：1.一种用于场效应晶体管的结构，该结构包括：半导体本体；第一栅极结构，延伸于该半导体本体上方；第二栅极结构，延伸于该半导体本体上方；以及第一源漏区，横向位于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间，该第一源漏区包括第一半导体层及第二半导体层，该第一半导体层具有第一区段与第二区段，且该第二半导体层横向位于该第一半导体层的该第一区段与该第一半导体层的该第二区段之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有分段外延半导体层的晶体管

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