申请/专利权人：上海富乐德智能科技发展有限公司

申请日：2021-05-12

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN113399341A

主分类号：B08B3/02(20060101)

分类号：B08B3/02(20060101);B08B3/08(20060101);B08B3/10(20060101);B08B3/12(20060101);F26B21/14(20060101);H01L21/02(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.04.05#发明专利申请公布后的驳回;2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：本发明提供了一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，包括如下步骤：步骤一，热水浸泡，浸润SiC外延晶圆片表面，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；步骤二，有机溶剂浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；纯水冲洗去除残留药液；步骤三，碱溶液刻蚀，刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤四，硝氟酸溶液中和，去除表面残留碱，并且能刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤五，超声波清洗，超纯水冲洗并高纯氮气吹干；步骤六，无尘烘箱烘干。通过该方法，能去除SiC外延晶圆片表面的AlN和GaN等金属污染物，获得高洁净度的SiC表面，满足SiC外延晶圆片高洁净度洗净再生要求。

主权项：1.一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，热水浸泡，浸润SiC外延晶圆片表面，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；步骤二，有机溶剂浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；纯水冲洗去除残留药液；步骤三，碱溶液刻蚀，刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤四，硝氟酸溶液中和，去除表面残留碱，并且能刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤五，超声波清洗，超纯水冲洗并高纯氮气吹干；步骤六，无尘烘箱烘干。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海富乐德智能科技发展有限公司 一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法

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