申请/专利权人：河南大学

申请日：2021-06-08

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN113410134A

主分类号：H01L21/228(20060101)

分类号：H01L21/228(20060101);H01L21/677(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：本发明公开了一种实现低温扩散的硼源，属于硼扩散技术领域，一种实现低温扩散的硼源，本发明采用不含金属元素的硼酸铵盐，结合低成本的环保型溶剂，制得安全无毒、不易造成半导体硅污染的硼源溶液，符合现代工艺所要求的低成本和环境友好等特点，同时，本发明一方面可在900℃以下实现均匀硼扩散，实现扩散层薄层电阻在60‑1200Ω之间可控，另一方面，在900℃以上也可实现均匀硼扩散，实现扩散层薄层电阻10‑250Ω之间可控，通过实现低温扩散有效减小了对器件的热损伤，提高成品质量，并且，本发明工艺流程简单，均匀性良好，不易造成环境污染，能有效降低生产成本以及减少尾气处理成本及工作量。

主权项：1.一种实现低温扩散的硼源，其特征在于：包括硼酸铵盐和溶剂，所述硼酸铵盐包括氮、氧、硼和氢，其制备方法为：S1、硼源配置：将硼酸铵盐溶解在溶剂中，充分溶解后形成无色澄清的硼源溶液，并密封保存备用；S2、硅片预备：将硅片依次经过表面腐蚀、表面氧化、源沉积和干燥四道工序，得到沉积好硼源的硅片；S3、硼源扩散；S3-1、升温：向扩散炉石英管内导入大氮，并将扩散炉温度升至预定进舟出舟温度，即600℃-700℃，实现扩散炉升温；S3-2、硅片装载：将步骤S2中得到的沉积好硼源的硅片装载在扩散石英舟中；S3-3、进舟：在600℃-700℃温度下以及氮气氛围条件下，将装载有硅片的石英舟缓慢送入扩散石英管中，并将扩散石英管管口封住，以保证扩散石英管中温度的稳定，完成进舟；S3-4、升温扩散：逐渐升温至800℃-1000℃，在氮气氛围下进行扩散，过程中导入氧气，完成升温扩散；S3-5、降温出舟：升温扩散结束后，逐渐降温至600℃-700℃，然后缓慢将装载有硅片的石英舟输出，进行降温出舟，完成硼向硅中的扩散。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河南大学 一种实现低温扩散的硼源

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