申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2018-10-31

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN113410233A

主分类号：H01L27/092(20060101)

分类号：H01L27/092(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/033(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/285(20060101);H01L21/308(20060101);H01L21/311(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L23/485(20060101);H01L23/522(20060101);H01L23/528(20060101);H01L23/532(20060101);H01L27/02(20060101);H01L27/088(20060101);H01L27/11(20060101);H01L27/12(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/165(20060101);H01L29/167(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/51(20060101);H01L29/78(20060101);H01L49/02(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：["20171130 US 62/593,149","20171229 US 15/859,325"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分。栅极电极在所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧。第一外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中。第二外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中，所述第一和第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。

主权项：1.一种集成电路结构，包括：包括硅的第一鳍状物；包括硅的第二鳍状物；所述第一鳍状物与所述第二鳍状物之间的绝缘结构；所述第一鳍状物上的第一外延源极或漏极结构，所述第一外延源极或漏极结构和所述第一鳍状物在第一界面处相接；所述第二鳍状物上的第二外延源极或漏极结构，所述第二外延源极或漏极结构和所述第二鳍状物在第二界面处相接；电介质材料层，其从所述第一界面上方、但在所述第一外延源极或漏极结构的顶部下方，沿着所述第一鳍状物的侧壁的一部分，在所述绝缘结构上，沿着所述第二鳍状物的侧壁的一部分，连续延伸到所述第二界面上方、但在所述第二外延源极或漏极结构的顶部下方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构

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