申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2021-06-30

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN113408719A

主分类号：G06N3/063(20060101)

分类号：G06N3/063(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.10#授权;2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：本发明公开了一种基于非熔融态相变器件的多级联想记忆电路，属于人工神经网络领域，包括：N+1个输入节点，分别用于接收非条件刺激信号和各级条件刺激信号；NN+12个互连模块，任意两个输入节点之间连接有一互连模块，以对各输入节点接收到的信号进行两两耦合，每一互连模块包括两条反向并联的支路，每一支路包括串联的非熔融态相变器件和二极管；每一输入节点还依次连接有电阻突触和输出神经元模块，用于对该输入节点中耦合后的信号进行积分，并根据积分结果与神经元阈值电压之间的大小分别输出非条件反应信号和各级刺激反应信号。结构简单、无需复杂外围控制电路且能够模拟经典条件反射中多级条件反射的获取和消退过程。

主权项：1.一种基于非熔融态相变器件的多级联想记忆电路，其特征在于，包括：N+1个输入节点，分别用于接收非条件刺激信号和第j级条件刺激信号，j＝1,…,N，N为所述多级联想记忆电路的最大联想记忆级数，N≥2；NN+12个互连模块，任意两个所述输入节点之间连接有一所述互连模块，以对各所述输入节点接收到的信号进行两两耦合，每一所述互连模块包括两条反向并联的支路，每一所述支路包括串联的非熔融态相变器件和二极管；N+1个电阻突触，一端与所述N+1个输入节点一一对应连接，用于传输耦合后的信号；N+1个输出神经元模块，与所述N+1个电阻突触的另一端一一对应连接，用于对连接的电阻突触传输的信号进行积分，并根据积分结果与神经元阈值电压之间的大小分别输出非条件反应信号和第j级刺激反应信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种基于非熔融态相变器件的多级联想记忆电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD