申请/专利权人：株式会社电装

申请日：2017-03-24

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN109075147B

主分类号：H01L23/48(20060101)

分类号：H01L23/48(20060101);G01N29/04(20060101);H01L23/28(20060101);H01L23/29(20060101);H01L23/50(20060101);H01L25/07(20060101);H01L25/18(20060101)

优先权：["20160413 JP 2016-080578"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.09.17#授权;2019.01.15#实质审查的生效;2018.12.21#公开

摘要：在具备电子部件12、密封树脂体11、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件19、以及在密封树脂体的内部经由软钎料21、22与第1部件连接的第2部件16、25的电子装置中，第1部件具有使用金属材料形成的基材191c、以及在基材的表面中的至少第1部件的与对置面191a相反的背面191b侧的表面上设置的覆膜191d，该对置面191a与第2部件对置。覆膜具有在基材的表面设置的金属薄膜191e、以及设置于金属薄膜上并由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物形成的凹凸氧化膜191f。凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上的投影视下，至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域194的全域重叠。

主权项：1.一种电子装置，具备：电子部件12；密封树脂体11，密封所述电子部件；第1部件19，至少一部分配置于所述密封树脂体的内部；以及第2部件16、25，在所述密封树脂体的内部经由软钎料21、22与所述第1部件连接，所述第1部件具有：使用金属材料形成的基材191c；以及覆膜191d，被设置在所述基材的表面中的至少所述第1部件的与所述第2部件对置的对置面191a的相反一侧的背面191b侧的表面上，所述覆膜具有被设置在所述基材的表面上的金属薄膜191e、以及被设置在所述金属薄膜上且由与所述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜191f，所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面被设置成，在所述第1部件、所述软钎料、以及所述第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与所述第1部件的所述对置面上的与所述软钎料连接的连接区域194的全域重叠。

全文数据：电子装置及其制造方法关联申请的相互引用本申请基于2016年4月13日提出申请的日本申请号2016－80578号，在此引用其记载内容。技术领域本申请涉及树脂密封型的电子装置及其制造方法。背景技术以往已知有如下的树脂密封型的电子装置，其具备电子部件、密封电子部件的密封树脂体、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件、以及在密封树脂体的内部经由软钎料与第1部件连接的第2部件。在这样的电子装置中，在密封树脂体的成形后，使用超声波探伤装置SAT：ScanningAcousticTomograph在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上，从第1部件侧检查软钎料。具体而言，检查软钎料中的空隙等。若在第1部件中的与第2部件对置的对置面的相反一侧的背面中的、与在层叠方向的投影视下的第1部件的对置面上的软钎料的连接区域重叠的部分产生密封树脂体的剥离，则超声波分别在密封树脂体与空气的界面、空气与第1部件的界面反射。因此，无法高精度地检查软钎料。与此相对，例如如专利文献1公开那样，已知使金属部件的表面粗化，并利用相对于密封树脂体的锚固效应，抑制密封树脂体从金属部件的表面剥离的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013－71312号公报发明内容然而，在上述的以往的技术中，存在第1部件中的软钎料的连接区域的背面部分腐蚀的隐患。例如由于在密封树脂体中残存的氯类化合物，而腐蚀金属部件。另外，若水分从外部穿过密封树脂体与第1部件的界面等而侵入，则金属部件被腐蚀。这样，若产生腐蚀，则即使金属表面被粗化，也会产生密封树脂体的剥离。即，无法通过超声波探伤装置高精度地检查软钎料。本申请的目的在于提供能够通过超声波探伤装置高精度地检查软钎料的电子装置及其制造方法。根据本申请的第一方式，具备：电子部件；密封树脂体，密封电子部件；第1部件，至少一部分配置于密封树脂体的内部；以及第2部件，在密封树脂体的内部经由软钎料与第1部件连接。第1部件具有：使用金属材料形成的基材；以及覆膜，被设置在基材的表面中的至少第1部件的与第2部件对置的对置面的相反一侧的背面侧的表面上。覆膜具有被设置在基材的表面上的金属薄膜、以及被设置在金属薄膜上且由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜。凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成，在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域的全域重叠。据此，在第1部件中，在与软钎料连接的连接区域的背面部分形成有凹凸氧化膜。凹凸氧化膜的表面连续地呈凹凸状，通过锚固效应以及接触面积增加的效果，能够抑制密封树脂体的剥离。因此，能够利用超声波探伤检查来从第1部件侧高精度地检查软钎料。另外，由于在金属薄膜上形成有凹凸氧化膜，因此能够通过凹凸氧化膜防止第1部件的腐蚀。由此，能够抑制伴随腐蚀产生的密封树脂体的剥离，进而能够利用超声波探伤检查来高精度地检查软钎料。此外，如后述那样，凹凸氧化膜是通过对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成的膜。根据本申请的第二的方式涉及具备电子部件、密封电子部件的密封树脂体、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件、以及在密封树脂体的内部经由软钎料与第1部件连接的第2部件的电子装置的制造方法。在该电子装置中，第1部件具有：使用金属材料形成的基材；以及覆膜，被设置在基材的表面中的至少第1部件的与第2部件对置的对置面的相反一侧的背面侧的表面上，覆膜具有被设置在基材的表面上的金属薄膜、以及被设置在金属薄膜上且由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜，凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成，在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域的全域重叠。该电子装置的制造方法具备：准备形成有金属薄膜的基材；以至少包含金属薄膜的表面中的、第1部件的背面侧的表面上的连接区域的背面部分全域的方式，照射脉冲振荡的激光，从而形成凹凸氧化膜；经由软钎料将第1部件与第2部件连接；在凹凸氧化膜的形成、以及第1部件与第2部件的连接之后，成形出密封树脂体；以及在成形出密封树脂体之后，使用超声波探伤装置33在层叠方向上从第1部件侧检查软钎料。据此，通过对金属薄膜照射脉冲振荡的激光，能够形成表面呈连续地凹凸的凹凸氧化膜。因此，与上述相同地，能够抑制密封树脂体从第1部件的连接区域的背面部分剥离。因此，能够利用超声波探伤检查来从第1部件侧高精度地检查软钎料。另外，由于在金属薄膜上形成凹凸氧化膜，因此能够利用凹凸氧化膜防止第1部件的腐蚀。由此，能够抑制伴随腐蚀产生的密封树脂体的剥离，进而能够利用超声波探伤检查来高精度地检查软钎料。附图说明关于本申请的上述目的及其他的目的、特征、优点通过参照附图且进行下述的详细的记叙而更加明确。图1为表示适用第1实施方式的半导体装置的电力转换装置的概略结构的图。图2为表示第1实施方式的半导体装置的概略结构的俯视图。图3为在图2所示的半导体装置中，省略了密封树脂体的图。图4为沿着图2的IV-IV线的剖视图。图5为沿着图2的V-V线的剖视图。图6为从对置面侧观察第2散热片的仰视图。图7为从散热面侧观察第2散热片的俯视图。图8为沿着图7的VIII-VIII线的剖视图。图9为表示半导体装置的制造方法的俯视图，与图7对应。图10为表示半导体装置的制造方法的剖视图，与图4对应。图11为表示半导体装置的制造方法的剖视图，与图4对应。图12为表示半导体装置的制造方法的剖视图，与图4对应。图13为表示第2实施方式的半导体装置的概略结构的剖视图，与图4对应。图14为在第3实施方式的半导体装置中，从散热面侧观察第2散热片的俯视图，与图7对应。图15为在第4实施方式的半导体装置中，从散热面侧观察第2散热片的俯视图，与图7对应。具体实施方式参照附图对多个实施方式进行说明。在多个实施方式中，对于功能性以及或者构造性对应的部分赋予相同的附图标记。以下，将半导体芯片的厚度方向表示为Z方向，将与Z方向正交、2个半导体芯片的排列方向表示为X方向。另外，将与Z方向以及X方向这两个方向正交的方向表示为Y方向。只要未特别说明，则将沿着由上述的X方向以及Y方向规定的XY面的形状设为平面形状。第1实施方式首先，基于图1，对适用半导体装置的电力转换装置的一例进行说明。图1所示的电力转换装置1构成为将从直流电源2电池供给的直流电压转换为三相交流，并向三相交流方式的马达3输出。这样的电力转换装置1例如搭载于电动汽车、混合动力车。此外，电力转换装置1也能够将由马达3发电的电力转换为直流并对直流电源2充电。图2所示的附图标记4为平滑电容器。电力转换装置1具有三相逆变器。三相逆变器具有设置在与直流电源2的正极高电位侧连接的高电位电源线5、以及与负极低电位侧连接的低电位电源线6之间的三相的上下臂。并且，各相的上下臂分别由半导体装置10构成。即，通过一个半导体装置10构成一相的上下臂。半导体装置10具备IGBT元件、以及以反并联的方式与该IGBT元件连接的回流用的FWD元件。在本实施方式中，在后述的半导体芯片12中分别构成有IGBT元件以及FWD元件。然而，IGBT元件与FWD元件也可以构成于独立的芯片。在本实施方式中，采用n沟道型的IGBT元件。FWD元件的阴极电极与集电极共用化，阳极电极与发射极电极共用化。在半导体装置10中，上臂侧的IGBT元件的集电极与高电位电源线5电连接，发射极电极与通向马达3的输出线7连接。另一方面，下臂侧的IGBT元件的集电极与通向马达3的输出线7连接，发射极电极与低电位电源线6电连接。此外，电力转换装置1除了上述的三相逆变器，还可以具有将从直流电源2供给的直流电压升压的升压转换器，以及对构成三相逆变器、升压转换器的开关元件的动作进行控制的控制部。接下来，基于图2～图7对半导体装置10的概略结构进行说明。如图2～图7所示，半导体装置10具备密封树脂体11、半导体芯片12、第1散热片14、端子terminal17、第2散热片19、主端子23、24、25、以及信号端子26。半导体装置10相当于树脂密封型的电子装置。以下，附图标记末尾的H表示上臂侧的要素，末尾的L表示下臂侧的要素。对于要素的一部分，为明确上臂、下臂而在末尾附加H、L，对于其他的一部分，上臂与下臂共用附图标记。密封树脂体11例如由环氧类树脂构成。密封树脂体11呈平面大致矩形状，如图2、图4、以及图5所示，具有与Z方向正交的一面11a、与一面11a相反的背面11b、以及连接一面11a与背面11b的侧面。一面11a以及背面11b例如为平坦面。密封树脂体11作为侧面而具有主端子23、24、25突出的侧面11c、以及信号端子26突出的侧面11d。半导体芯片12在硅等半导体基板形成有绝缘栅双极型晶体管IGBT等功率晶体管而构成。在本实施方式中，形成有n沟道型的IGBT、以及以反并联的方式与该IGBT连接的续流二极管FWD。即，在半导体芯片12形成有RCReverseConducting：逆导－IGBT。半导体芯片12呈平面大致矩形状。IGBT以及FWD呈纵型构造以使电流沿Z方向流动。如图4以及图5所示，在半导体芯片12的板厚方向、即Z方向上，在一面12a形成有集电极13a，在与一面12a相反的背面12b形成有发射极电极13b。集电极13a兼作FWD的阴极电极，发射极电极13b兼作FWD的阳极电极。在半导体芯片12的背面12b，即发射极电极形成面形成有包含栅电极用的衬垫的未图示的衬垫。半导体芯片12相当于电子部件。半导体芯片12具有上臂侧的半导体芯片12H、以及下臂侧的半导体芯片12L。半导体芯片12H、12L彼此呈几乎相同的平面形状、具体而言呈平面大致矩形状，且彼此具有几乎相同的大小与几乎相同的厚度。半导体芯片12H、12L配置成彼此的集电极13a在Z方向上为相同侧，彼此的发射极电极13b在Z方向上为相同侧。半导体芯片12H、12L在Z方向上位于几乎相同的高度，并且在X方向上并列排列地配置。半导体芯片12H相当于上臂芯片，半导体芯片12L相当于下臂芯片。作为半导体芯片12H、12L的排列方向的X方向相当于正交方向。第1散热片14发挥将对应的半导体芯片12的热向半导体装置10的外部散热的功能，并且也发挥作为布线的功能。因此，为了确保导热性以及导电性，至少使用金属材料形成。第1散热片14也被称作散热部件。在本实施方式中，第1散热片14在Z方向上的投影视中，以将对应的半导体芯片12内包的方式设置。第1散热片14具有与半导体芯片12的一面12a对置的对置面14a、以及与对置面14a相反的散热面14b。第1散热片14的对置面14a、以及与该第1散热片14对应的半导体芯片12的集电极13a经由软钎料15而电连接。第1散热片14的大部分被密封树脂体11覆盖。对置面14a配置于密封树脂体11内，散热面14b从密封树脂体11露出。散热面14b与密封树脂体11的一面11a大致为一个面。在本实施方式中，第1散热片14具有上臂侧的第1散热片14H、以及下臂侧的第1散热片14L。另外，软钎料15也具有上臂侧的软钎料15H、以及下臂侧的软钎料15L。并且，第1散热片14H经由软钎料15H与半导体芯片12H的集电极13a连接。另外，第1散热片14L经由软钎料15L与半导体芯片12L的集电极13a连接。第1散热片14H、14L在X方向上排列地配置，并且在Z方向上配置于几乎相同的位置。并且，第1散热片14H、14L的散热面14b从密封树脂体11的一面11a露出，并且彼此沿X方向排列。如图3以及图4所示，接头部16与下臂侧的第1散热片14L相连。接头部16是对第1散热片14L与后述的第2散热片19H进行电中继的部分。在本实施方式中，接头部16通过加工同一金属板而与第1散热片14L一体地设置。因此，接头部16是第1散热片14L的一部分。接头部16与第1散热片14L中的经由软钎料15H而与半导体芯片12L连接的主体部分相连。接头部16设置地比第1散热片14L薄以被密封树脂体11覆盖。接头部16与第1散热片14L的对置面14a大致为一个面地相连。接头部16从第1散热片14L中的Y方向的一端附近朝向第2散热片19H延伸设置。在本实施方式中，如图4所示，接头部16在2个位置具有弯曲部。接头部16相当于第2部件。端子17夹设在对应的半导体芯片12与第2散热片19之间。端子17由于位于半导体芯片12与第2散热片19的导热、导电路径的中途，因此为了确保导热性以及导电性，至少使用金属材料例如，Cu形成。本实施方式的端子17具有使用Cu形成的基材、以及以Ni为主成分并形成于基材的表面的金属薄膜。端子17与发射极电极13b对置配置，经由软钎料18与发射极电极13b电连接。在本实施方式中，端子17具有上臂侧的端子17H、以及下臂侧的端子17L。另外，软钎料18具有上臂侧的软钎料18H、以及下臂侧的软钎料18L。并且，端子17H经由软钎料18H与半导体芯片12H的发射极电极13b连接。另外，端子17L经由软钎料18L与半导体芯片12L的发射极电极13b连接。第2散热片19发挥将对应的半导体芯片12的热向半导体装置10的外部散热的功能，并且也发挥作为布线的功能。因此，与第1散热片14同样地为了确保导热性以及导电性，至少使用金属材料形成。第2散热片19也被称作散热部件。在本实施方式中，第2散热片19在Z方向上的投影视中，以将对应的半导体芯片12内包的方式设置。如图3、图6、以及图7所示，第2散热片19呈平面大致L字状，并具有主体部190、以及从主体部190延伸设置的延伸设置部191。在图6以及图7中，将后述的第2散热片19H作为第2散热片19进行例示。主体部190具有与对应的端子17对置的对置面190a、以及与对置面190a相反的散热面190b。第2散热片19的对置面190a与对应的端子17经由软钎料20电连接。主体部190的大部分被密封树脂体11覆盖。对置面190a配置于密封树脂体11内，散热面190b从密封树脂体11露出。具体而言，散热面190b与密封树脂体11的背面11b大致为一个面。延伸设置部191通过加工同一金属板而与主体部190一体地设置。延伸设置部191设置地比主体部190薄以被密封树脂体11覆盖。延伸设置部191具有与接头部16以及主端子25中的某一个对置的对置面191a、以及与对置面191a相反的背面191b。延伸设置部191以使对置面190a、191a大致为一个面的方式与主体部190相连。另外，第2散热片19以延伸设置部191的延伸设置方向沿着X方向的方式配置。在本实施方式中，第2散热片19具有上臂侧的第2散热片19H、以及下臂侧的第2散热片19L，软钎料20具有上臂侧的软钎料20H、以及下臂侧的软钎料20L。并且，主体部190具有上臂侧的主体部190H、以及下臂侧的主体部190L，延伸设置部191具有上臂侧的延伸设置部191H、以及下臂侧的延伸设置部191L。如图3、图6、以及图7所示，第2散热片19H、19L为共同形状。第2散热片19H与第2散热片19L以点对称的方式配置。并且，以在X方向上，延伸设置部191H与主体部190L对置、延伸设置部191L与主体部190H对置的方式，配置2个第2散热片19H、19L。换言之，以在Y方向上，延伸设置部191H、191L为并列排列的方式配置2个第2散热片19H、19L。在这样的配置中，第2散热片19H的主体部190H与端子17H经由软钎料20H连接。因此，半导体芯片12H经由端子17H固定于第2散热片19H。另外，第2散热片19L的主体部190L与端子17L经由软钎料20L连接。因此，半导体芯片12L经由端子17L固定于第2散热片19L。主体部190H、190L在X方向上排列配置，并且在Z方向上配置于几乎相同的位置。并且，主体部190H、190L的散热面190b从密封树脂体11的背面11b露出，且彼此排列在X方向上。如图3所示，延伸设置部191中的上臂侧的延伸设置部191H在Z方向上的投影视下，与接头部16的前端部分重叠。如图4所示，延伸设置部191H经由软钎料21与接头部16连接。接头部16在Z方向上相对于延伸设置部191H配置于半导体芯片12侧。接头部16具有与延伸设置部191H对置的对置面16a、以及与该对置面16a相反的背面16b。软钎料21夹设在延伸设置部191H的对置面191a与接头部16的对置面16a之间。延伸设置部191H、软钎料21、以及接头部16的层叠方向与Z方向大致一致。如图3所示，下臂侧的延伸设置部191L在Z方向上的投影视下，与主端子25的前端部分重叠。如图5所示，延伸设置部191L经由软钎料22与接头部16连接。主端子25在Z方向上相对于延伸设置部191L配置于半导体芯片12侧。主端子25具有与延伸设置部191L对置的对置面25a、以及与该对置面25a相反的背面25b。软钎料22夹设在延伸设置部191L的对置面191a与主端子25的对置面25a之间。此外，第2散热片19延伸设置部191相当于第1部件。后述第2散热片19的详细构造。主端子23与高电位电源线5连接。因此，主端子23也被称作高电位电源端子、P端子。主端子23与第1散热片14H电连接，并在Y方向上延伸设置，且从密封树脂体11的侧面11c向外部突出。在本实施方式中，通过加工同一金属板，使主端子23与第1散热片14H一体地设置。主端子24与马达3的输出线7连接。因此，主端子24也被称作输出端子、O端子。主端子24与第1散热片14L电连接，并在Y方向上延伸设置，且从主端子23相同的侧面11c向外部突出。在本实施方式中，通过加工同一金属板，使主端子24与第1散热片14L一体地设置。主端子25与低电位电源线6连接。因此，主端子25也被称作低电位电源端子、N端子。如上所述，主端子25相对于延伸设置部191L配置于半导体芯片12侧，经由软钎料22与延伸设置部191L连接。主端子25在Y方向上延伸设置，并从与主端子23、24相同的侧面11c向外部突出。主端子23、24、25的从密封树脂体11突出的突出部分在Z方向上彼此配置于几乎相同的位置。另外，在X方向上，按主端子23、主端子25、主端子24的顺序排列配置。主端子25相当于第2部件。信号端子26经由焊丝bondingwire27与对应的半导体芯片12的衬垫电连接。在本实施方式中，采用铝类的焊丝27。信号端子26在Y方向上延伸设置，并从密封树脂体11的侧面11d向外部突出。具体而言，从与主端子23、24、25突出的侧面11c相反的侧面11d向外部突出。在本实施方式中，信号端子26具有上臂侧的信号端子26H、以及下臂侧的信号端子26L。信号端子26H与半导体芯片12H的衬垫连接，信号端子26L与半导体芯片12L的衬垫连接。在以上那样构成的半导体装置10中，第1散热片14H、14L、接头部16、主端子23、24、25、以及信号端子26由同一金属板构成。即，引线框具有第1散热片14H、14L、接头部16、主端子23、24、25、以及信号端子26。另外，通过密封树脂体11，使半导体芯片12、第1散热片14的一部分、接头部16、端子17、第2散热片19的一部分、主端子23、24、25的一部分、以及信号端子26的一部分被一体地密封。在半导体装置10中，通过密封树脂体11使构成一相的上下臂的2个半导体芯片12H、12L被密封。因此，半导体装置10也被称作2合12in1封装。另外，如后述那样，第1散热片14以及第2散热片19与密封树脂体11一同被切削加工。并且，第1散热片14H、14L的散热面14b位于同一面内且与密封树脂体11的一面11a为大致一个面。同样地，第2散热片19H、19L主体部190H、190L的散热面190b位于同一面内且与密封树脂体11的背面11b为大致一个面。这样，半导体装置10呈散热面14b、190b均从密封树脂体11露出的双面散热构造。此外，半导体装置10具有贯通孔28、29、30。贯通孔28为了将上述的引线框定位而形成于主端子23。贯通孔28形成于主端子23中不被密封树脂体11覆盖的部分。贯通孔29为了抑制密封树脂体11的剥离而形成于第1散热片14H、14L与主端子23、24的连结部附近。在贯通孔29中填充有密封树脂体11。贯通孔30为了抑制密封树脂体11的剥离而形成于信号端子26。在贯通孔30中填充有密封树脂体11。接下来，基于图4～图8对第2散热片19的详细构造以及连接构造进行说明。图6以及图7为俯仰视图，为了明确而对凹凸氧化膜191f附加了影线。如图4～图6所示，第2散热片19的主体部190在对置面190a具有软钎料20的连接区域192。在主体部190的对置面190a，以包围连接区域192的方式形成有槽部193。连接区域192是连接软钎料20的区域，换言之是涂覆的区域。槽部193为收容从连接区域192溢出的软钎料20而形成。在本实施方式中，槽部193以包围连接区域192的方式形成为环状。然而，槽部193不限于环状。例如也能够采用以将连接区域192包围的方式不连续地形成的形状。槽部193的深度以及宽度以能够吸收多余的软钎料20的方式适当地设定。延伸设置部191在对置面191a上具有对应的软钎料21、22的连接区域194。连接区域194为与软钎料21、22共同的形状。在延伸设置部191的对置面191a，以包围连接区域194的方式形成有槽部195。连接区域194是连接软钎料21、22的区域。槽部195为收容从连接区域194溢出的软钎料21、22而形成。在本实施方式中，槽部195以包围连接区域194的方式形成为环状。然而，槽部195不限于环状。例如也能够采用以包围连接区域194的方式不连续地形成的形状。槽部195的深度以及宽度以能够吸收多余的软钎料20的方式适当地设定。如图7所示，在延伸设置部191的背面191b侧，与槽部195对应地形成有突起部196。突起部196作为在利用超声波探伤装置SAT：ScanningAcousticTomograph从密封树脂体11的背面11b侧检查软钎料21、22时，相对于软钎料21、22的位置基准部发挥功能。突起部196在Z方向上的投影视下，与槽部195几乎一致。突起部196以包围背面191b中的连接区域194的背面部分194a的方式形成为环状。背面部分194a是背面191b中的在Z方向上的投影视下，与连接区域194一致的部分。在本实施方式中，通过从对置面191a侧对金属板进行冲压，从而形成槽部195以及突起部196。此外，在主体部190的散热面190b上，与槽部193对应的突起部通过后述的切削而除去。如图8所示，第2散热片19的延伸设置部191具有使用金属材料形成的基材191c、以及形成于基材191c的表面中的至少背面191b侧的表面上的覆膜191d。在本实施方式中，作为基材191c的材料采用Cu。此外，不仅是延伸设置部191、主体部190也具有基材191c。覆膜191d具有金属薄膜191e、以及凹凸氧化膜191f。金属薄膜191e是将金属设为构成材料的膜。金属薄膜191e形成于基材191c的表面。即，金属薄膜191e形成于基材191c的表面中的至少背面191b侧的表面。在本实施方式中，在基材191c中的对置面191a侧的表面也形成有金属薄膜191e。在第2散热片19的表面中的除了散热面190b以外的部分，形成有金属薄膜191e。散热面190b通过切削加工除去金属薄膜191e。金属薄膜191e例如通过镀覆、蒸镀形成。作为金属薄膜191e，优选包含以Ni为主成分的膜的构成。更优选的是，包含非电解Ni镀膜的构成。非电解Ni镀膜除了包含作为主成分的Ni之外还包含P磷。在本实施方式中，对置面191a侧的金属薄膜191e中的未形成凹凸氧化膜191f的部分，具有非电解Ni镀膜、以及在非电解Ni镀膜上形成的Au镀膜。另一方面，对置面191a侧的金属薄膜191e中的形成有凹凸氧化膜191f的部分，具有非电解Ni镀膜。这样在对置面191a上，在凹凸氧化膜191f的形成区域不存在Au镀膜是由于，利用后述的激光的照射除去Au镀膜并且从下层的非电解Ni镀膜形成凹凸氧化膜191f。另外，除了对置面191a以外，例如背面191b侧的金属薄膜191e具有非电解Ni镀膜。此外，主体部190也为相同的构成。具体而言，对置面190a侧的金属薄膜191e中的未形成凹凸氧化膜191f的部分具有非电解Ni镀膜、以及在非电解Ni镀膜上形成的Au镀膜。另一方面，对置面190a侧的金属薄膜191e中的形成有凹凸氧化膜191f的部分具有非电解Ni镀膜。若后述的激光的照射条件相同，则非电解Ni镀膜与Ni电镀膜相比，凹凸氧化膜191f的膜厚厚。非电解Ni镀膜Ni－P的熔点虽然也取决于P的含有量但约为800度℃左右，Ni电镀膜Ni的熔点为约1450度℃。这样，由于非电解Ni镀膜的熔点较低，因此可认为通过低能量的激光进行熔融以及蒸发，凹凸氧化膜191f的膜厚变厚。如图8所示那样在金属薄膜191e的表面局部形成有多个凹部191g。如后述那样，凹部191g利用脉冲振荡的激光的照射而形成。例如按每1脉冲形成一个凹部191g。凹部191g与激光的光斑对应。另外，在激光的扫描方向上，相邻的凹部191g相连。各凹部191g的宽度为5μm～300μm。另外，凹部191g的深度为0.5μm～5μm。凹部191g的深度若比0.5μm浅，则通过激光的照射进行的金属薄膜191e的表面的熔融以及蒸镀不充分，后述的凹凸氧化膜191f难以形成。若凹部191g的深度比5μm深，则金属薄膜191e的表面变得容易熔融飞散，与蒸镀相比，基于熔融飞散的表面形成占优势，凹凸氧化膜191f难以形成。在金属薄膜191e的表面中的凹部191g上，形成有凹凸氧化膜191f。如上所述，凹部191g是激光照射后的痕迹。在金属薄膜191e中，形成有凹凸氧化膜191f的部分的平均膜厚比未形成凹凸氧化膜191f的部分的平均膜厚薄。这样，在金属薄膜191e中，形成有凹凸氧化膜191f的部分的平均膜厚较薄也是激光照射的痕迹。凹凸氧化膜191f由与构成金属薄膜191e的主成分的金属相同的金属的氧化物形成。凹凸氧化膜191f的表面连续且呈凹凸状。凹凸氧化膜191f形成在金属薄膜191e上。凹凸氧化膜191f通过对金属薄膜191e照射脉冲振荡的激光，使构成金属薄膜191e的金属氧化而形成。即，凹凸氧化膜191f是通过使金属薄膜191e的表层氧化而形成于金属薄膜191e的表面的氧化物的膜。因此，也可以说是由金属薄膜191e的一部分提供了凹凸氧化膜191f。在本实施方式中，构成凹凸氧化膜191f的成分中的80％为Ni2O3，10％为NiO，10％为Ni。这样，凹凸氧化膜191f的主成分是包含于金属薄膜191e的Ni的氧化物。凹凸氧化膜191f形成于金属薄膜191e的表面中的凹部191g的表面。凹凸氧化膜191f的平均膜厚为10nm～几百nm。凹凸氧化膜191f沿着具有凹部191g的金属薄膜191e的表面的凹凸而形成。另外，以比凹部191g的宽度窄的间距形成凹凸。即，形成有非常微小的凹凸。换言之，多个凸部191h柱状体以较窄的间距形成。例如凸部191h的平均宽度为1nm～300nm，凸部191h间的平均间隔为1nm～300nm。凹凸氧化膜191f形成于延伸设置部191的背面191b中的、连接区域194的背面部分194a的全域。换言之，背面191b中的由突起部196围起的部分的全域。在背面191b中的形成有凹凸氧化膜191f的部分，凹凸氧化膜191f构成背面191b的一部分。在本实施方式中，在对置面191a中的除了连接区域194以及槽部195以外的部分，即在槽部195外侧的部分的全域也形成有凹凸氧化膜191f。另外，在主体部190的对置面190a中的除了连接区域192以及槽部193以外的部分，即在槽部193外侧的部分的全域也形成有凹凸氧化膜191f。这样，在第2散热片19的对置面190a、191a中的除了连接区域192、194以及槽部193、195以外的部分的全域，形成有凹凸氧化膜191f。并且，在端子17的表面中的除了与软钎料18、20的接合面以外的面即侧面，也形成有凹凸氧化膜191f。如上所述，端子17也具有使用Cu形成的基材、以及以Ni为主成分并形成于基材的表面的金属薄膜，通过对金属薄膜照射脉冲振荡的激光，来形成凹凸氧化膜191f。在本实施方式中，在第2散热片19中的延伸设置部191的对置面191a，在软钎料21、22的连接区域194以及槽部195以外的部分，形成有凹凸氧化膜191f。若像这样具有凹凸氧化膜191f，则与不具有凹凸氧化膜191f的构成、即金属薄膜191e的表面露出的构成相比，能够降低对软钎料21、22浸润性。另外，通过具有凹凸氧化膜191f，在对置面191a形成有微小的凹凸。软钎料21、22难以进入这样的粗化面。因此，软钎料21、22的一部分与对置面191a的接触面积减小，软钎料21、22的一部分由于表面张力而成为球状。即，接触角增大。因此，在形成有凹凸氧化膜191f的部分，能够降低对软钎料21、22的浸润性。根据以上所述，能够抑制软钎料21、22向槽部195的外侧浸润扩散。同样地，通过形成于对置面190a的凹凸氧化膜191f，能够抑制软钎料20向槽部193的外侧浸润扩散。另外，同样地，通过形成于端子17的侧面的凹凸氧化膜191f，还能够抑制软钎料20在侧面浸润扩散而流入半导体芯片12侧的软钎料18。另外，通过具有凹凸氧化膜191f，使对置面190a、191a与密封树脂体11的接触面积增加。进而，密封树脂体11交织于凹凸氧化膜191f的凹凸而产生锚固效应。因此，提高了对置面190a、191a与密封树脂体11的紧贴性，能够在与密封树脂体11之间形成稳固的连接构造。特别是若形成包含Ni的金属薄膜191e，则能够长期地保持稳定的连接构造。接下来，基于图9～图12，对上述的半导体装置10电子装置的制造方法进行说明。首先，准备构成半导体装置10的各要素。即，分别准备半导体芯片12、包含接头部16的第1散热片14、端子17、第2散热片19、主端子23、24、25、以及信号端子26。在该准备工序中，准备在基材191c的表面中的至少背面191b形成有金属薄膜191e的第2散热片19。在本实施方式中，准备在背面191b整面形成有非电解Ni镀膜作为金属薄膜191e、且在对置面190a、191a的整面形成有非电解Ni镀膜以及非电解Ni镀膜上的Au镀膜作为金属薄膜191e的第2散热片19。此时，将非电解Ni膜的膜厚设为10μm左右。另外，准备端子17。关于端子17，准备在基材的表面上形成有非电解Ni镀膜作为金属薄膜的端子。关于第1散热片14、主端子23、24、25、以及信号端子26，准备具备这些部件的引线框。接下来，照射激光来形成凹凸氧化膜191f。在第2散热片19的延伸设置部191中的背面191b侧的金属薄膜191e的表面，通过照射脉冲振荡的激光，使金属薄膜191e的表面熔融以及蒸发。具体而言，通过照射激光，使金属薄膜191e的表面的部分熔融且蒸发气化，而使其在外部空气中浮游。脉冲振荡的激光被调整为能量密度大于0Jcm2且100Jcm2以下、脉冲宽度为1μ秒以下。能够采用YAG激光、YVO4激光、光纤激光等来满足该条件。例如在YAG激光的情况下，能量密度为1Jcm2以上即可。在非电解Ni镀覆的情况下，即使是例如5Jcm2左右也能够加工金属薄膜191e。此外，能量密度也被称作脉冲能量密度pulsefluence。此时，通过使激光的光源与第2散热片19e相对移动，如图9所示，按顺序对被突起部196包围的连接区域194的背面部分194a的多个位置照射激光。此外，既可以使激光的光源移动，也可以使第2散热片19移动。进而，还可以通过反射镜的旋转动作来扫描激光。即，也可以通过扫描激光，按顺序对背面部分194a的多个位置照射激光。例如图9所示，若沿Y方向扫描激光并结束从背面部分194a的一端至另一端的照射，则在X方向上将激光的照射区域位移。即，在X方向上扫描激光。然后，同样地沿Y方向进行扫描，从一端至另一端照射激光。通过反复此操作，对背面部分194a的几乎全域照射激光。即，对XY坐标中的规定间距的阵点照射激光。在本实施方式中，以相邻的激光的光斑基于1脉冲的照射范围在Y方向上一部分重叠的方式，在Y方向上扫描激光。另外，以相邻的激光的光斑在X方向上一部分重叠的方式，在X方向上扫描激光。这样，通过照射激光，使金属薄膜191e的表面熔融、气化，从而在金属薄膜191e的表面形成凹部191g。金属薄膜191e中的照射激光后的部分的平均厚度比不照射激光的部分的平均厚度薄。另外，与激光的光斑对应地形成的多个凹部191g在X方向上相连且在Y方向上也相连。由此，作为激光照射痕的凹部191g例如成为鳞片状。接着，使熔融了的金属薄膜191e的部分凝固。具体而言，使熔融并气化的金属薄膜191e向照射过激光的部分及其周边部分蒸镀。这样，通过蒸镀熔融并气化的金属薄膜191e，在金属薄膜191e的表面上形成凹凸氧化膜191f。凹凸氧化膜191f主要形成于金属薄膜191e中的照射过激光的部分。如以上所述那样，在延伸设置部191中的连接区域194的背面部分194a形成凹凸氧化膜191f。在激光的照射中，在将能量密度设为大于100Jcm2的150Jcm2或300Jcm2的情况下，未形成凹凸氧化膜191f。另外，在照射非脉冲振荡而是连续振荡的激光的情况下，也未形成凹凸氧化膜191f。在本实施方式中，不仅在背面部分194a，在第2散热片19的对置面190a、191a以及端子17的侧面也同样地形成凹凸氧化膜191f。例如在对置面190a、191a的情况下，通过照射脉冲振荡的激光，除去上层的Au镀膜且使下层的非电解Ni镀膜的表层部分熔融、气化，从而在金属薄膜191e的表面上形成凹凸氧化膜191f。关于端子17，与背面部分194a同样。接着，经由软钎料15连接半导体芯片12与第1散热片14，形成连接体31。在本实施方式中，形成上臂侧的连接体31H、以及下臂侧的连接体31L作为连接体31。首先对连接体31H的形成方法进行说明。如图10所示，在第1散热片14H的对置面14a上隔着软钎料15H配置半导体芯片12H。接下来，例如将预先在两面配置了软钎料18H以及软钎料20H作为预焊软钎料pre-solders的端子17H相对于半导体芯片12H，以软钎料18H成为半导体芯片12H侧的方式配置。关于软钎料20H，预先配置能够吸收半导体装置10中的高度不均的量。然后，在该层叠状态下，通过使软钎料15H、18H、20H回流reflow第1次回流，从而经由软钎料15H将半导体芯片12H与第1散热片14H连接。另外，经由软钎料18H将半导体芯片12H与端子17H连接。关于软钎料20H，由于尚未配置作为连接对象的第2散热片19H主体部190H，因此由于表面张力而呈以与第2散热片19H对置的对置面的中心为顶点而隆起的形状。连接体31L也与连接体31H同样地形成。不同点是在回流之前，在接头部16中的与延伸设置部191H对置的对置面16a上配置软钎料21。关于软钎料21，与软钎料20H同样地预先配置能够吸收半导体装置10中的高度不均的量。然后，在该层叠状态下，通过使软钎料15L、18L、20L、21回流第1次回流，从而经由软钎料15L将半导体芯片12L与第1散热片14L连接。另外，经由软钎料18L将半导体芯片12L与端子17L连接。关于软钎料20L，由于尚未配置作为连接对象的第2散热片19L主体部190L，因此由于表面张力而呈以与第2散热片19L对置的对置面的中心为顶点而隆起的形状。由于尚未配置作为连接对象的第2散热片19H的延伸设置部191H，因此软钎料21也由于表面张力而成为隆起的形状。接着，通过焊丝27将信号端子26H、26L与对应的半导体芯片12H、12L的衬垫连接。接着，经由软钎料20将连接体31、对应的第2散热片19连接。在本实施方式中，经由软钎料20H将连接体31H与第2散热片19H连接且经由软钎料20L将连接体31L与第2散热片19L连接。另外，经由软钎料21将上臂与下臂连接。并且，经由软钎料22将主端子25与延伸设置部191L连接。即，使软钎料20、21、22同时回流第2次回流。如图11所示，使对置面19a朝上地将第2散热片19H、19L配置在基座32上。此时，虽未图示，但在第2散热片19L的延伸设置部191L中的对置面191a上配置软钎料22例如软钎料箔。关于软钎料22，预先配置能够吸收半导体装置10中的高度不均的量。此外，关于软钎料22，也可以作为预焊软钎料预先配置在主端子25上。接下来，以端子17H、17L与对应的第2散热片19H、19L对置的方式将连接体31H、31L配置在第2散热片19H、19L的对置面19a上。软钎料21被接头部16与延伸设置部191H夹持。另外，软钎料22被延伸设置部191L与主端子25夹持。然后，在第2散热片19H、19L朝下的状态下进行第2次回流。在第2次回流中，通过从第1散热片14H、14L侧施加负荷，使半导体装置10的高度成为规定的高度。具体而言，将未图示的隔离件配置在第2散热片19H、19L的主体部190H、190L与基座32之间，使隔离件与主体部190H、190L及基座32双方接触。这样，半导体装置10的高度成为规定的高度。即，基座32与隔离件作为高度调整部件发挥功能。如上所述，为了调整高度不均，将较多的软钎料20H、20L配置于端子17H、17L与第2散热片19H、19L的主体部190H、190L之间。因此，在第2次回流中，端子17H、17L与第2散热片19H、19L之间的软钎料20H、20L充足，能够进行可靠的连接。另外，由于将较多的软钎料21配置于延伸设置部191H与接头部16之间，因此在第2次回流中，延伸设置部191H与接头部16之间的软钎料21充足，能够进行可靠的连接。并且，由于将较多的软钎料22配置于延伸设置部191L与主端子25之间，因此在第2次回流中，延伸设置部191L与主端子25之间的软钎料22充足，能够进行可靠的连接。另外，通过上述的负荷的施加等，多余的软钎料20H、20L被从端子17H、17L与第2散热片19H、19L之间挤出，多余的软钎料20H、20L收容于槽部193。由于在槽部193的周围形成有凹凸氧化膜191f，因此可抑制向槽部193外侧的软钎料20H、20L的浸润扩散。另外，由于在端子17H、17L的侧面也形成有凹凸氧化膜191f，因此可抑制向端子17H、17L的侧面的软钎料20H、20L的浸润扩散。同样地，即使从延伸设置部191与接头部16之间挤出多余的软钎料21，多余的软钎料21也收容于槽部195。由于在槽部195的周围形成有凹凸氧化膜191f，因此可抑制向槽部195外侧的软钎料21的浸润扩散。同样地，即使从延伸设置部191L与主端子25之间挤出多余的软钎料22，多余的软钎料22也收容于槽部195。由于在槽部195的周围形成有凹凸氧化膜191f，因此可抑制向槽部195外侧的软钎料22的浸润扩散。此外，第1次回流以及第2次回流设为氢气氛下的回流。由此，软钎焊中所不需要的金属表面的自然氧化膜能够通过还原来除去。因此，能够使用无焊剂的软钎料作为各软钎料15、18、20、21、22。另外，能够通过减压来抑制在软钎料15、18、20、21、22中产生空隙。此外，由于凹凸氧化膜191f也会因还原而厚度变薄，因此通过激光的照射形成所希望厚度的凹凸氧化膜191f，以使即便被还原也残留凹凸氧化膜191f。如上所述，若金属薄膜191e含有非电解Ni镀膜，则能够增厚凹凸氧化膜191f，故优选。此外，若仅在第2散热片19中的延伸设置部191的背面191b形成凹凸氧化膜191f，则还能够在连接体31的形成后、第2次回流的实施后，形成凹凸氧化膜191f。即，也能够在密封树脂体11的成形前，形成凹凸氧化膜191f。接着，通过传递模塑法transfermoldmethod进行密封树脂体11的成形。在本实施方式中，以第1散热片14以及第2散热片19被完全覆盖的方式，成形密封树脂体11。在该情况下，通过按第1散热片14以及第2散热片19的一部分切削成形的密封树脂体11，使第1散热片14以及第2散热片19的散热面14b、190b露出。因此，散热面14b、190b为切削面。另外，密封树脂体11的一面11a以及背面11b也为切削面。并且，散热面14b与一面11a为大致一个面。另外，散热面190b与背面11b为大致一个面。此外，也可以在将第1散热片14以及第2散热片19的散热面14b、190b按压并紧贴在成形模具的内腔壁面的状态下，成形密封树脂体11。在该情况下，在成形密封树脂体11的时刻，使散热面14b、190b从密封树脂体11露出。因此，无需成形后的切削。在密封树脂体11的成形后，如图12所示，使用超声波探伤装置33在Z方向上，从第2散热片19的延伸设置部191侧检查软钎料21。具体而言，从超声波探伤装置33的探头探测器33a朝向延伸设置部191发送超声波并且由探头33a检测其反射波。此时，将突起部196用作位置基准部。通过利用超声波的收发波检测突起部196的位置，能够位置精度良好地确定背面部分194a、即软钎料21。然后，能够根据超声波的收发波的结果，检测软钎料21中的空隙等缺陷。在本实施方式中，如图12所示，在Z方向上，密封树脂体11中的、覆盖延伸设置部191的背面191b的部分的厚度T2比覆盖接头部16的背面16b的部分的厚度T1薄。接头部16与延伸设置部191具有几乎相同的厚度。因此，对于软钎料21，从密封树脂体11的厚度较薄的部分进行检查。另外，对于软钎料22的检查也同样地进行。此外，对于软钎料21、22以外的软钎料也可以进行检查。然后，通过除去引线框的不需要的部分，能够得到半导体装置10。此外，也能够在除去引线框的不需要的部分后，进行基于超声波探伤装置33的软钎料21、22的检查。接下来，对上述的半导体装置10及其制造方法的效果进行说明。在本实施方式中，在第2散热片19中的、延伸设置部191中的连接区域194的背面部分194a形成有凹凸氧化膜191f。凹凸氧化膜191f的表面呈微小的凹凸。因此，背面部分194a与密封树脂体11的接触面积增加。另外，密封树脂体11交织于凹凸氧化膜191f的凹凸而产生锚固效应。由此，能够提高延伸设置部191的背面部分194a与密封树脂体11的紧贴性，能够抑制密封树脂体11从背面部分194a剥离。例如即使在使散热面190b露出时的切削加工的振动传递至延伸设置部191，也能够抑制密封树脂体11从背面部分194a剥离。因此，利用超声波探伤装置33，能够从延伸设置部191侧高精度地检查软钎料21、22。另外，通过照射脉冲振荡的激光，在金属薄膜191e上形成凹凸氧化膜191f。这样，由于金属薄膜191e以及基材191c被凹凸氧化膜191f保护，因此与金属薄膜191e不被凹凸氧化膜191f保护而露出的构成相比，能够防止延伸设置部191的背面部分194a的腐蚀。例如利用凹凸氧化膜191f能够保护金属薄膜191e以及基材191c免受密封树脂体11中残存的氯类化合物的影响。另外，能够保护金属薄膜191e以及基材191c免受穿过密封树脂体11与第2散热片19的界面等从外部侵入的水分的影响。因此，能够抑制伴随背面部分194a的腐蚀而产生的密封树脂体11的剥离，进而能够利用超声波探伤装置33高精度地检查软钎料21、22。特别是在本实施方式中，密封树脂体11中的、覆盖延伸设置部191的背面191b的部分的厚度比覆盖接头部16的背面16b的部分的厚度薄。另外，覆盖延伸设置部191的背面191b的部分的厚度比覆盖主端子25的背面25b的部分的厚度薄。因此，与从密封树脂体11的较厚侧、例如在接头部16的背面16b设置凹凸氧化膜191f并从接头部16侧检查软钎料21的构成相比，能够抑制密封树脂体11中的超声波的衰减。即，能够高精度地检查软钎料21、22。此外，在槽部195中未收容软钎料21、22的状态下，由于在槽部195中形成密封树脂体11树脂与延伸设置部191金属的界面，因此利用超声波探伤装置33容易检测出槽部195的位置。然而，在软钎料21、22从连接区域194溢出而收容于槽部195的状态下，在槽部195中形成软钎料21、22金属与延伸设置部191金属的界面。在该情况下，由于在声学阻抗上存在较大的差异，因此利用超声波探伤装置33难以检测出槽部195的位置。而在本实施方式中，在延伸设置部191的对置面191a形成有包围连接区域194的槽部195，在背面191b有形成包围连接区域194的背面部分194a的突起部196。因此，即使在软钎料21、22收容于槽部195的状态下，也能够检测突起部196。并且，能够将突起部196的位置作为基准，位置精度良好地检查软钎料21、22。另外，与对置面191a相比，背面191b距离密封树脂体11的背面11b较近，因此能够抑制超声波的衰减，能够位置精度良好地检测位置基准部。另外，突起部196利用冲压加工与槽部195一同形成。因此，能够在背面191b侧与槽部195对应地位置精度良好地形成位置基准部。另外，还能够使制造工序简单化。第2实施方式本实施方式能够参照上述的实施方式。因此，省略与上述实施方式示出的半导体装置10及其制造方法共同的部分的说明。在本实施方式中，如图13所示，在延伸设置部191的背面191b有形成槽部197作为位置基准部。在本实施方式中，槽部195相当于第1槽部，槽部197相当于第2槽部。槽部197与槽部195对应地形成。槽部197在Z方向上的投影视下，与槽部195一致地形成。槽部197例如能够通过蚀刻来形成。这样，在采用具有槽部197作为位置基准部的构成的情况下，也能够起到与第1实施方式相同的效果。第3实施方式本实施方式能够参照上述实施方式。因此，省略与上述实施方式示出的半导体装置10及其制造方法共同的部分的说明。图14虽为俯视图，但为了明确而对凹凸氧化膜191f附加了影线。在本实施方式中，如图14所示，凹凸氧化膜191f还形成于延伸设置部191的背面191b中作为位置基准部的突起部196。即，凹凸氧化膜191f形成于连接区域194的背面部分194a以及突起部196。据此，能够抑制密封树脂体11从突起部196剥离。因此，能够利用超声波探伤装置33更可靠地检测突起部196的位置。另外，由于密封树脂体11难以从突起部196剥离，因此能够抑制剥离从背面部分194a的周围向背面部分194a进展。即，能够更有效地抑制密封树脂体11从背面部分194a剥离。此外，在槽部197形成有凹凸氧化膜191f的情况下，也能够起到相同的效果。第4实施方式本实施方式能够参照上述实施方式。因此，省略与上述实施方式示出的半导体装置10及其制造方法共同的部分的说明。图15虽为俯视图，但为了明确而对凹凸氧化膜191f附加了影线。在本实施方式中，如图15所示，凹凸氧化膜191f形成于延伸设置部191的背面191b的整面上。据此，在背面191b整面中，可抑制密封树脂体11的剥离。例如能够抑制在延伸设置部191的背面191b中的边缘部产生剥离。因此，能够更有效地抑制密封树脂体11从背面部分194a剥离。此外，在槽部197形成有凹凸氧化膜191f的情况下，也能够起到相同的效果。该说明书的公开内容不限于例示的实施方式。公开内容包括例示的实施方式、以及基于该实施方式的本领域技术人员能够想到的变形方式。例如，公开内容不限于实施方式中示出的要素的组合。公开内容能够通过多种组合来实施。所公开的技术的范围不限于实施方式的记载。所公开的几种技术的范围由权利要求书的记载示出，并且应理解为包括与权利要求书的记载均等的含义及范围内的全部的变更。在上述实施方式中，作为半导体装置10而例示出具有2个半导体芯片12的2合1封装的例子。然而，半导体芯片12的个数不被限定。例如也能够适用于具有构成三相的上下臂的6个半导体芯片12的6合1封装。示出了IGBT与FWD形成于同一芯片的例子，但也能够适用于彼此形成于单独芯片的构成。示出了半导体装置10具有端子17的例子，但也可以设为不具有端子17的构成。在该情况下，可以在第2散热片19设置朝向发射极电极13b突出的凸部。示出了散热面14b、19b从密封树脂体11露出的例子。然而，也能够适用于散热面14b、19b不从密封树脂体11露出的构成。作为电子装置示出了半导体装置10的例子，但不限于此。只要是具备电子部件、将电子部件密封的密封树脂体、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件、以及在密封树脂体的内部经由软钎料与第1部件连接的第2部件的电子装置，则能够适用。构成金属薄膜191e的金属不限于Ni。另外，凹凸氧化膜191f也不限于Ni的氧化物。凹凸氧化膜191f的构成材料只要是与构成金属薄膜191e的金属相同的金属的氧化物即可。示出了凹凸氧化膜191f还形成于第2散热片19的对置面190a、191a以及端子17的侧面的例子。然而，也能够采用在第2散热片19的对置面190a、191a以及端子17的侧面中的至少一方，不具有凹凸氧化膜191f的构成。此外，凹凸氧化膜191f也可以仅形成于延伸设置部191的背面191b中的作为位置基准部的突起部196或者槽部197。据此，能够抑制密封树脂体11从突起部196剥离。因此，能够利用超声波探伤装置33更可靠地检测突起部196的位置。另外，由于密封树脂体11难以从突起部196剥离，因此能够抑制剥离从背面部分194a的周围向背面部分194a进展。另外，不限于位置基准部，也可以以包围背面部分194a的方式形成凹凸氧化膜191f。例如，也可以仅在背面191b的边缘部形成有凹凸氧化膜191f。

权利要求：1.一种电子装置，具备：电子部件12；密封树脂体11，密封所述电子部件；第1部件19，至少一部分配置于所述密封树脂体的内部；以及第2部件16、25，在所述密封树脂体的内部经由软钎料21、22与所述第1部件连接，所述第1部件具有：使用金属材料形成的基材191c；以及覆膜191d，被设置在所述基材的表面中的至少所述第1部件的与所述第2部件对置的对置面191a的相反一侧的背面191b侧的表面上，所述覆膜具有被设置在所述基材的表面上的金属薄膜191e、以及被设置在所述金属薄膜上且由与所述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜191f，所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面被设置成，在所述第1部件、所述软钎料、以及所述第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与所述第1部件的所述对置面上的与所述软钎料连接的连接区域194的全域重叠。2.如权利要求1所述的电子装置，其中，在所述层叠方向上，所述密封树脂体的厚度设置为，覆盖所述第1部件的所述背面191b的部分比覆盖所述第2部件的与所述第1部件对置的对置面16a、25a的相反一侧的背面16b、25b的部分薄。3.如权利要求1或2所述的电子装置，其中，所述电子装置形成构成三相逆变器的3组上下臂中的1组，所述电子部件是在所述层叠方向上的一面12a以及与所述一面相反一侧的背面12b分别设置有电极13a、13b的半导体芯片12，所述半导体芯片具有构成上臂的上臂芯片12H、以及构成下臂的下臂芯片12L，该下臂芯片12L在与所述层叠方向正交的正交方向上与所述上臂芯片排列配置成彼此的所述一面在所述层叠方向上成为相同侧；所述电子装置具备：第1散热片14以及作为所述第1部件的第2散热片，该第1散热片14以及第2散热片是为了将所述半导体芯片的热进行散热而被配置成在所述层叠方向上分别夹持所述半导体芯片的一对散热片，该第1散热片14在所述层叠方向上配置于所述一面侧，并与所述一面的电极电连接，该第2散热片在所述层叠方向上配置于所述背面侧，并包括与所述背面的电极电连接的主体部190、以及从所述主体部沿所述正交方向延伸设置的延伸设置部191；以及作为所述第2部件的接头部16以及主端子25，以在所述层叠方向上与所述延伸设置部对置的方式相对于所述延伸设置部被配置于所述半导体芯片侧，且经由所述软钎料与所述延伸设置部电连接，该接头部16与所述上臂以及所述下臂中的一方的所述延伸设置部连接，该主端子25与另一方的所述延伸设置部连接。4.如权利要求1～3中任一项所述的电子装置，其中，所述第1部件具有设置于所述对置面并将所述连接区域包围的槽部195、以及与所述槽部对应地设置于所述背面的作为位置基准部的突起部196。5.如权利要求1～3中任一项所述的电子装置，其中，所述第1部件具有设置于所述对置面并将所述连接区域包围的第1槽部195、以及与所述第1槽部对应地设置于所述背面的作为位置基准部的第2槽部197。6.如权利要求4或5所述的电子装置，其中，所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面设置于所述位置基准部。7.如权利要求1～6中任一项所述的电子装置，其中，所述凹凸氧化膜设置于所述第1部件的所述背面的整面。8.如权利要求1～7中任一项所述的电子装置，其中，所述金属薄膜在设置有所述凹凸氧化膜的部分的表面具有多个凹部191g。9.如权利要求1～8中任一项所述的电子装置，其中，在所述金属薄膜中，设置有所述凹凸氧化膜的部分的平均膜厚比未设置所述凹凸氧化膜的部分的平均膜厚薄。10.一种电子装置的制造方法，该电子装置具备：电子部件12；密封树脂体11，密封所述电子部件；第1部件19，至少一部分配置于所述密封树脂体的内部；以及第2部件16、25，在所述密封树脂体的内部经由软钎料21、22与所述第1部件连接，所述第1部件具有：使用金属材料形成的基材191c、以及覆膜191d，被设置在所述基材的表面中的至少所述第1部件的与所述第2部件对置的对置面191a的相反一侧的背面191b侧的表面上，所述覆膜具有被设置在所述基材的表面上的金属薄膜191e、以及被设置在所述金属薄膜上且由与所述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜191f，所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面被设置成，在所述第1部件、所述软钎料、以及所述第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与所述第1部件的所述对置面上的与所述软钎料连接的连接区域194的全域重叠，所述电子装置的制造方法具备：准备形成有所述金属薄膜的所述基材；以至少包含所述金属薄膜的表面中的、所述第1部件的背面侧的表面上的所述连接区域的背面部分全域的方式，照射脉冲振荡的激光，从而形成所述凹凸氧化膜；经由所述软钎料将所述第1部件与所述第2部件连接；在所述凹凸氧化膜的形成、以及所述第1部件与所述第2部件的连接之后，成形出所述密封树脂体；以及在成形出所述密封树脂体之后，使用超声波探伤装置33在所述层叠方向上从所述第1部件侧检查所述软钎料。

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