申请/专利权人：北京知存科技有限公司

申请日：2019-05-16

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN111951858B

主分类号：G11C16/10(20060101)

分类号：G11C16/10(20060101);G11C16/14(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.09.17#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明提供一种NorFlash编程方法、建模方法及存算一体芯片，该方法包括：判断该闪存单元的目标电流与所述当前电流的差值的绝对值是否大于预设阈值；若是，判断所述当前电流是否大于所述目标电流；若所述当前电流大于所述目标电流，根据所述当前电流、所述目标电流以及写入电压模型得到写入电压，并控制编程电路将所述写入电压施加至该闪存单元；若所述当前电流小于所述目标电流，根据所述当前电流、所述目标电流以及擦除电压模型得到擦除电压，并控制编程电路将所述擦除电压施加至该闪存单元，即：利用写入电压模型或擦除电压模型直接获取到写入电压或擦除电压，省去了更新‑校验的反复迭代过程。

主权项：1.一种NorFlash编程方法，其特征在于，包括：控制读取电路读取一闪存单元的当前电流；判断该闪存单元的目标电流与所述当前电流的差值的绝对值是否大于预设阈值；若是，判断所述当前电流是否大于所述目标电流；若所述当前电流大于所述目标电流，根据所述当前电流、所述目标电流以及写入电压模型得到写入电压，并控制编程电路将所述写入电压施加至该闪存单元；若所述当前电流小于所述目标电流，根据所述当前电流、所述目标电流以及擦除电压模型得到擦除电压，并控制编程电路将所述擦除电压施加至该闪存单元；若该闪存单元的目标电流与所述当前电流的差值的绝对值小于等于预设阈值，则结束Flash编程流程。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京知存科技有限公司 Nor Flash编程方法、建模方法及存算一体芯片

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