申请/专利权人：河南工程学院

申请日：2021-01-12

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN214226946U

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2024.01.19#未缴年费专利权终止;2021.09.17#授权

摘要：本实用新型公开了一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层是掺杂有Al的Ta2O5薄膜，其厚度为5‑200nm，底电极和顶电极分别为金属W和Au，衬底材料为TiSiO2Si；本实用新型通过铝元素对Ta2O5掺杂，通过掺杂改变Ta2O5中氧空位的形成能和扩散势垒能，进而改变氧空位扩散激活能，实现对氧空位的扩散激活能的调控，进而对器件的工作电压进行调控，降低工作电压，并提高阻变存储器的阻态保持性能的性能。

主权项：1.一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，其特征是：所述阻变层是掺杂有Al的Ta2O5薄膜，其厚度为5-200nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河南工程学院 一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器

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