申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-04-09

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN113421854A

主分类号：H01L21/8238(20060101)

分类号：H01L21/8238(20060101);H01L21/28(20060101)

优先权：["20200520 US 16/879,613"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.12.01#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.09.21#公开

摘要：一种形成半导体装置的方法，包括：提供结构，结构具有基板、第一和第二通道层在基板上，以及第一和第二栅极介电层分别在第一和第二通道层上；在第一栅极介电层上形成第一偶极图案，第一偶极图案具有第一偶极材料，第一偶极材料具有第一导电型；在第二栅极介电层上形成第二偶极图案，第二偶极图案具有第二偶极材料，第二偶极材料具有与第一导电型相反的第二导电型；以及退火结构使第一偶极图案的元素驱入至第一栅极介电层中以及使第二偶极图案的元素驱入至第二栅极介电层中。

主权项：1.一种形成半导体装置的方法，包括：提供一结构，该结构具有一基板、一第一通道层和一第二通道层在该基板上，以及一第一栅极介电层和一第二栅极介电层分别在该第一通道层和该第二通道层上；在该第一栅极介电层上形成一第一偶极图案，该第一偶极图案具有一第一偶极材料，该第一偶极材料具有一第一导电型；在该第二栅极介电层上形成一第二偶极图案，该第二偶极图案具有一第二偶极材料，该第二偶极材料具有与该第一导电型相反的一第二导电型；以及退火该结构使该第一偶极图案的多个元素驱入至该第一栅极介电层中以及使该第二偶极图案的多个元素驱入至该第二栅极介电层中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成半导体装置的方法

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