申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-05-17

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN113421855A

主分类号：H01L21/8238(20060101)

分类号：H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101)

优先权：["20200522 US 16/881,933"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.12.01#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.09.21#公开

摘要：本公开提供了一种半导体装置的形成方法，包括：形成在基板的第一区域上方突出的第一半导体条strip以及在基板的第二区域上方突出的第二半导体条；形成隔离区于第一半导体条与第二半导体条之间；在第一半导体条及第二半导体条的多个侧壁上并沿着侧壁形成栅极堆叠；蚀刻沟槽，沟槽延伸至栅极堆叠及隔离区中，且沟槽露出基板的第一区域以及基板的第二区域；形成介电层于沟槽的侧壁及底面上；以及在介电层上及沟槽中填充导电材料以形成接触件，其中接触件在隔离区的最底表面下方延伸。

主权项：1.一种半导体装置的形成方法，该方法包括：形成在一基板的一第一区域上方突出的一第一半导体条以及在该基板的一第二区域上方突出的一第二半导体条；形成一隔离区于该第一半导体条与该第二半导体条之间；在该第一半导体条及该第二半导体条的多个侧壁上并沿着该些侧壁形成一栅极堆叠；蚀刻一沟槽，该沟槽延伸至该栅极堆叠及该隔离区中，且该沟槽露出该基板的该第一区域以及该基板的该第二区域；形成一介电层于该沟槽的侧壁及底面上；以及在该介电层上及该沟槽中填充一导电材料以形成一接触件，其中该接触件在该隔离区的最底表面下方延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的形成方法

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