申请/专利权人：海南聚能科技创新研究院有限公司

申请日：2021-05-26

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN113421933A

主分类号：H01L31/0264(20060101)

分类号：H01L31/0264(20060101);H01L31/0296(20060101);H01L31/0328(20060101);H01L31/0216(20140101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要：本发明提供了一种半导体复合材料，包括TiN纳米管阵列基底以及复合于所述基底表面的C3N4‑CdS复合材料层。本发明向TiO2上掺杂C3N4和CdS，从而加强其光催化的能力。通过测样发现TiN‑C3N4‑CdS的半导体复合材料,比传统的TiO2材料的光电响应提高了5倍以上。

主权项：1.一种半导体复合材料，其特征在于，包括TiN纳米管阵列基底以及复合于所述基底表面的C3N4-CdS复合材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 海南聚能科技创新研究院有限公司 一种半导体光敏感复合材料及其制备方法以及应用

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