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【发明公布】晶片级无源器件的集成_苹果公司_202110695084.5 

申请/专利权人:苹果公司

申请日:2015-08-04

公开(公告)日:2021-09-21

公开(公告)号:CN113421873A

主分类号:H01L23/528(20060101)

分类号:H01L23/528(20060101);H01L25/065(20060101);H01L25/16(20060101);H01L23/64(20060101);H01L23/488(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/498(20060101);H01L23/50(20060101)

优先权:["20140929 US 62/056,711","20150121 US 14/601,623"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要:本公开涉及晶片级无源器件的集成。本公开描述了一种半导体器件,该半导体器件包括利用位于第一基板上的第一组无源器件例如,电感器102耦合到第一半导体基板100的集成电路500。第二半导体基板200可利用第二组无源器件例如,电容器202耦合到第一基板。基板中的互连器104可允许在基板和集成电路之间互连。无源器件可用于向集成电路提供电压调节。基板和集成电路可利用金属覆膜106,502来耦合。

主权项:1.一种半导体器件,包括:集成电路,包括有源表面,其中所述集成电路包括功耗型半导体器件;第一半导体基板,具有上表面,所述第一半导体基板利用所述第一半导体基板的所述上表面上的第一金属覆膜直接附接到所述集成电路的所述有源表面,其中所述第一半导体基板包括在所述第一半导体基板中的第一类型无源器件和穿过所述第一半导体基板的第一组互连器,所述第一类型无源器件中的至少一些位于所述第一半导体基板的所述上表面处,并且直接附接到所述第一半导体基板的所述上表面上的所述第一金属覆膜中的至少一些;和第二半导体基板,所述第二半导体基板利用第二金属覆膜耦合到所述第一半导体基板,其中所述第二半导体基板包括在所述第二半导体基板中的第二类型无源器件和穿过所述第二半导体基板的第二组互连器;其中第一类型无源器件和第二类型无源器件是不同类型的无源器件,第一类型无源器件包括电感器,且第二类型无源器件包括电容器。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苹果公司 晶片级无源器件的集成

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