申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2013-11-15

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN113421929A

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/04(20060101)

优先权：["20121116 JP 2012-251794"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。

主权项：1.一种半导体装置，包括：多层膜，其中层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜；栅电极；栅极绝缘膜；源电极；以及漏电极，其中，所述氧化物半导体膜和所述氧化物膜每一个都包含In-M-Zn氧化物，其中M为选自由Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Nd构成的组中的一个，并且所述氧化物膜具有比所述氧化物半导体膜小的In对M的原子个数比，其中，所述氧化物膜的In对M的原子个数比为x:y，并且y大于或等于x，其中，所述氧化物膜与所述氧化物半导体膜的上表面接触，其中，所述氧化物半导体膜的上端与所述氧化物膜的下端大致一致，其中，所述多层膜包括通过所述栅极绝缘膜与所述栅电极重叠的第一区域和不与所述栅电极重叠的第二区域，其中，所述氧化物半导体膜具有在所述氧化物半导体膜的底表面与所述氧化物半导体膜的侧表面之间形成的第一角度，其中，所述氧化物膜具有在所述氧化物膜的底表面与所述氧化物膜的侧表面之间形成的第二角度，其中，所述第一角度小于所述第二角度且为锐角，其中，所述源电极包括与所述氧化物膜的上表面接触的区域、与所述氧化物膜的侧表面接触的区域和与所述氧化物半导体膜的侧表面接触的区域，其中，所述漏电极包括与所述氧化物膜的上表面接触的区域、与所述氧化物膜的侧表面接触的区域和与所述氧化物半导体膜的侧表面接触的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置

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