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【发明公布】flash检测方法及其检测系统_成都盛芯微科技有限公司_202110773246.2 

申请/专利权人:成都盛芯微科技有限公司

申请日:2021-07-08

公开(公告)日:2021-09-21

公开(公告)号:CN113421606A

主分类号:G11C29/08(20060101)

分类号:G11C29/08(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要:本发明公开了一种flash检测方法及其检测系统,涉及存储技术领域。该flash检测方法包括以下步骤:S1、检测芯片内部是否包括flash存储器:若否,则进入步骤S5;若是,则进入步骤S2;S2、读取所述flash存储器的存储内容;S3、将所述flash存储器内的存储内容通过预设的计算方法进行计算,并将存储内容计算结果与预存的校验值进行对比;S4、判断所述存储内容计算结果与所述校验值是否相同:若不相同,则进入步骤S5;若相同,则发送检测工作完成标志;S5、接收外部命令进行flash自测:若flash存储器检测出坏块,则标记坏块位置,发送坏块位置和检测工作完成标志;若flash存储器无坏块,则发送检测工作完成标志。本发明的检测方法简单、方便,且不受TAP限速。

主权项:1.一种flash检测方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、检测芯片内部是否包括flash存储器:若否,则结束检测;若是,则进入步骤S2;S2、读取所述flash存储器的存储内容;S3、将所述flash存储器内的存储内容通过预设的计算方法进行计算,并将存储内容计算结果与预存的校验值进行对比;S4、判断所述存储内容计算结果与所述校验值是否相同:若不相同,则进入步骤S5;若相同,则发送检测工作完成标志;S5、接收外部命令进行flash自测:若flash存储器检测出坏块,则标记坏块位置,发送坏块位置和检测工作完成标志;若flash存储器无坏块,则发送检测工作完成标志。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 成都盛芯微科技有限公司 flash检测方法及其检测系统

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