申请/专利权人：江苏苏创光学器材有限公司

申请日：2015-06-18

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN105141813B

主分类号：H04N5/225(20060101)

分类号：H04N5/225(20060101);B24B37/00(20120101);B24B29/02(20060101);B24B1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.09.21#授权;2016.01.06#实质审查的生效;2015.12.09#公开

摘要：本发明涉及一种蓝宝石摄像头窗口片的制备方法，具体步骤包括晶体生长、晶体掏棒、晶体切割、研磨、倒角、退火、双面抛光、激光取片、镀膜、涂油墨热烘等工序；本发明制成的摄像头窗口片成片质量高，废品率低，生产效率高。

主权项：1.一种蓝宝石摄像头窗口片的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：步骤一、晶体生长；在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料，所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆，提拉杆的下端夹设有A晶向、M晶向或C晶向的籽晶；将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体，升温至2100～2200℃，使得Al2O3熔融，控制熔体的液面温度为2055℃，将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触，持续0.5～1h；待籽晶与熔体充分沾润后，提拉并转动籽晶，从而实现缩颈—扩肩—等径生长；缩颈阶段，控制熔体的液面温度为2050℃，以3～5mmh的速度向上提拉籽晶，以45～48rmin的速度转动籽晶；扩肩阶段，控制熔体的液面温度为2048℃，以8～10mmh的速度向上提拉籽晶，以50～55rmin的速度转动籽晶；等径阶段，控制熔体的液面温度为2052℃，以5～8mmh的速度向上提拉籽晶，以48～50rmin的速度转动籽晶；待晶体生长结束后，将晶体生长炉内的温度降至1580～1680℃，再对晶体进行退火处理，控制温度以80～100℃h的速度缓慢降温并持续18～22h，从而得到晶体；步骤二、晶体掏棒；对晶体进行定向，然后使用掏棒机进行掏棒，从而得到晶棒；步骤三、晶体切割；采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割，从而得到晶片；步骤四、研磨；采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入研磨液，研磨盘对晶片加压至0.02～0.022Mpa，研磨盘的转速为1000～1200rmin；研磨完成后用无水乙醇清洗；所述研磨液组分包括：0.5～2％的颗粒大小为10～20μm的立方氮化硼粉末，14～16％的烷基酚聚氧乙烯醚，4～6％的甘油，9～11％的聚丙二醇400，其余为去离子水；步骤五、倒角；采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理；步骤六、退火；将晶片放入退火炉内，以180～220℃h的速度进行升温将温度升至1600℃，升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2～6h，然后以200℃h的速度进行降温，降温时在1000℃、500℃分别保温2～3h冷却至室温取出；步骤七、双面化学抛光；先用无水乙醇对晶片进行清洗，然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘对晶片加压至0.12～0.15Mpa，抛光盘的转速为1000～1500rmin、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却；所述抛光液组分包括：0.5～2％的颗粒大小为1～6μm的立方氮化硼粉末，14～16％的烷基酚聚氧乙烯醚，4～6％的甘油，9～11％的聚丙二醇400，0.5～2％的纳米二氧化硅，使得抛光液PH值为11.0～13.0的碱性溶液，其余为去离子水；抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值；步骤八、激光取片；将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体，将晶片按需求切割成相应大小；步骤九、镀膜；采用光学真空镀膜机对晶片的正反两面镀抗反射膜，抗反射膜由低折射率氧化物和高折射率氧化物逐层镀覆而成且层数为4～8层，最靠近晶片的一层采用低折射率氧化物，所述低折射率氧化物是硅或铝的氧化物，所述高折射率氧化物是钛或钽的氧化物；步骤十、涂油墨；将镀膜后的晶片盖上镂空板，在晶片的边缘处刷涂油墨且重复刷涂三层；步骤十一、热烘；将涂完油墨的晶片放入热烘机中热烘2～3h后，空冷至室温。

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