申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2016-03-16

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN105990446B

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：["20150316 KR 10-2015-0035702"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.09.21#授权;2018.04.06#实质审查的生效;2016.10.05#公开

摘要：本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。

主权项：1.一种半导体器件，包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；位于场绝缘膜上的层间绝缘膜；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉，并且包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧壁上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧壁上，其中，所述层间绝缘膜的一部分介于所述第一部分的最下部与所述场绝缘膜之间并且所述层间绝缘膜不介于所述第二部分的最下部与所述场绝缘膜之间，从衬底至所述第一部分的最下部的高度比从衬底至所述第二部分的最下部的高度更高。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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