申请/专利权人:住友电气工业株式会社
申请日:2018-08-28
公开(公告)日:2021-09-21
公开(公告)号:CN111051581B
主分类号:C30B29/36(20060101)
分类号:C30B29/36(20060101);C30B25/20(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/205(20060101)
优先权:["20170901 JP PCT/JP2017/031668","20171228 JP PCT/JP2017/047289"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.09.21#授权;2020.05.15#实质审查的生效;2020.04.21#公开
摘要:本发明涉及一种碳化硅外延晶片,所述碳化硅外延晶片包含:4H多型的单晶碳化硅衬底,所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向11‑20方向倾斜的主面;和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层,其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm,其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°,其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为ttanθ的对角线缺陷的一个以上的对,并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对cm2。
主权项:1.一种碳化硅外延晶片,其包含:4H多型的单晶碳化硅衬底,所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向11-20方向倾斜的主面;和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层,其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm,其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°,其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为ttanθ的对角线缺陷的一个以上的对,并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对cm2。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 住友电气工业株式会社 碳化硅外延晶片
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