申请/专利权人:厦门市三安集成电路有限公司
申请日:2021-02-05
公开(公告)日:2021-09-21
公开(公告)号:CN214254358U
主分类号:H01L21/67(20060101)
分类号:H01L21/67(20060101);C23C16/54(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.09.21#授权
摘要:本实用新型公开了一种碳化硅同质外延生长设备,包括腔体、顶盖、生长载台、透明探温窗口、支架和复数个红外高温探测计,顶盖与腔体扣合形成供外延生长的空间,腔体的底部设有排气口,腔体的内部设有生长载台,顶盖设有进气口和测试安装口,至少一红外高温探测计安装在顶盖的测试安装口中;透明探温窗口设于腔体的侧壁,支架的一端固定在腔体上,另一端通过万向节与至少一红外高温探测计连接,红外高温探测计在透明探温窗口范围内转动。本实用新型可以实时监控到生长过程中SiC外延片表面任意位置的温度,从而获得高浓度均匀性的SiC外延片。
主权项:1.一种碳化硅同质外延生长设备,其特征在于:包括腔体、顶盖、生长载台、透明探温窗口、支架和复数个红外高温探测计,顶盖与腔体扣合形成供外延生长的空间,腔体的底部设有排气口,腔体的内部设有生长载台,顶盖设有进气口和测试安装口,至少一红外高温探测计安装在顶盖的测试安装口中;透明探温窗口设于腔体的侧壁,支架的一端固定在腔体上,另一端通过万向节与至少一红外高温探测计连接,红外高温探测计在透明探温窗口范围内转动。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 厦门市三安集成电路有限公司 一种碳化硅同质外延生长设备
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