申请/专利权人:厦门乾照光电股份有限公司
申请日:2021-02-07
公开(公告)日:2021-09-21
公开(公告)号:CN214254445U
主分类号:H01L33/06(20100101)
分类号:H01L33/06(20100101);H01L33/32(20100101);H01L33/00(20100101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.09.21#授权
摘要:本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片,通过将靠近所述P型半导体层的势阱层设置为:包括沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层,其中,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1;进一步地,沿所述生长方向的最后一层势阱层包括P型掺杂且沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层;可在有源区的边缘储存一定的空穴,从而有利于后续空穴往有源区的迁移,从而提高电子与空穴在有源区空间内的复合效率。
主权项:1.一种半导体外延结构,包括衬底、N型半导体层、有源区及P型半导体层,其特征在于:所述有源区包括交替堆叠的势垒层和势阱层,且靠近所述P型半导体层的势阱层包括沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层,其中,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1。
全文数据:
权利要求:
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