申请/专利权人：福建兆元光电有限公司

申请日：2021-02-24

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN214254447U

主分类号：H01L33/06(20100101)

分类号：H01L33/06(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/12(20100101);H01L33/32(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.09.21#授权

摘要：本实用新型提供了一种LED芯片的外延结构，包括衬底层、N型氮化镓层、量子阱层、含铟的隔离层及P型氮化镓层；所述N型氮化镓层、所述量子阱层、所述隔离层及所述P型氮化镓层由靠近所述衬底层至远离所述衬底层的方向依次排布；本实用新型在量子阱层和P型氮化镓层之间加入含铟的隔离层，铟能够发挥类似表面活性剂的作用，增加材料在生长过程中的表面迁移能力，使得其下已生长完成的量子阱层中可能已经产生的V型坑得到填充从而变小甚至填平，使得V型坑的数量减小及降低V型坑的深度，从而降低了V型坑带来的量子阱层电阻值下降及错位穿透的影响，提升了LED芯片的正向抗静电能力。

主权项：1.一种LED芯片的外延结构，其特征在于，包括衬底层、N型氮化镓层、量子阱层、含铟的隔离层及P型氮化镓层；所述N型氮化镓层、所述量子阱层、所述隔离层及所述P型氮化镓层由靠近所述衬底层至远离所述衬底层的方向依次排布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建兆元光电有限公司 一种LED芯片的外延结构

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