申请/专利权人:苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日:2020-12-08
公开(公告)日:2021-09-21
公开(公告)号:CN214254436U
主分类号:H01L31/18(20060101)
分类号:H01L31/18(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/0224(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.09.21#授权
摘要:本实用新型公开了一种太阳能电池片。该太阳能电池片包括:P型硅片;P型轻掺杂层,其形成于所述P型硅片的正面上,所述P型硅片的局部上开设有槽,所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出;P型重掺杂部,其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上;正面介质层,其形成于所述P型轻掺杂层上;正面电极,其形成于所述P型重掺杂部上;背面介质层,其形成于所述P型硅片的背面之上;及背面电极,其穿过所述背面介质层。本实用新型可以降低载流子的传输损耗,提升填充因子FF。
主权项:1.一种太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片包括:P型硅片;P型轻掺杂层,其形成于所述P型硅片的正面上,所述P型硅片的局部上开设有槽,所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出;P型重掺杂部,其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上;正面介质层,其形成于所述P型轻掺杂层上;正面电极,其形成于所述P型重掺杂部上;背面介质层,其形成于所述P型硅片的背面之上;及背面电极,其穿过所述背面介质层。
全文数据:
权利要求:
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