买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【实用新型】一种太阳能电池片_苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院_202022912771.1 

申请/专利权人:苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院

申请日:2020-12-08

公开(公告)日:2021-09-21

公开(公告)号:CN214254436U

主分类号:H01L31/18(20060101)

分类号:H01L31/18(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/0224(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.09.21#授权

摘要:本实用新型公开了一种太阳能电池片。该太阳能电池片包括:P型硅片;P型轻掺杂层,其形成于所述P型硅片的正面上,所述P型硅片的局部上开设有槽,所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出;P型重掺杂部,其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上;正面介质层,其形成于所述P型轻掺杂层上;正面电极,其形成于所述P型重掺杂部上;背面介质层,其形成于所述P型硅片的背面之上;及背面电极,其穿过所述背面介质层。本实用新型可以降低载流子的传输损耗,提升填充因子FF。

主权项:1.一种太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片包括:P型硅片;P型轻掺杂层,其形成于所述P型硅片的正面上,所述P型硅片的局部上开设有槽,所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出;P型重掺杂部,其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上;正面介质层,其形成于所述P型轻掺杂层上;正面电极,其形成于所述P型重掺杂部上;背面介质层,其形成于所述P型硅片的背面之上;及背面电极,其穿过所述背面介质层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院 一种太阳能电池片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。